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物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao)
March Acta Phys. -Chim. Sin. 2015, 31 (3), 457-466 457
[Article] doi: 10.3866/PKU.WHXB201501093
电化学法制备部分还原氧化石墨烯薄膜及其光电性能
李文有1 贺蕴秋1,2,* 李一鸣1
1 2
( 同济大学材料科学与工程学院, 上海200092; 同济大学, 先进土木工程材料教育部重点实验室, 上海200092)
摘要: 提供了一种快速制备氧化石墨烯(GO)薄膜的方法, 并通过调节GO 薄膜的含氧量来调控其能级结构.
采用阳极电泳及阴极电化学还原联用的方法在F 掺杂SnO (FTO)导电玻璃上制备出不同层数及含氧量的GO
2
薄膜, 并通过扫描电镜(SEM)、X 射线衍射(XRD)、紫外可见(UV-Vis)光谱、X 射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱及
电化学分析对样品进行表征. 用20-350 s 不同时间电泳沉积得到层数约为77-570 层的GO 薄膜. 经过不同时
间阴极还原的GO 薄膜的禁带宽度为1.0-2.7 eV, 其导带位置及费米能级也随之改变. GO 作为p 型半导体, 与
FTO 导电膜之间会形成p-n 结, 在光强为100 mW ∙cm-2 的模拟太阳光照射下, 电泳300 s 且电化学还原120 s
-8 -2
时GO 薄膜阳极光电流密度达到5.25×10 A ∙cm .
关键词: 氧化石墨烯; 电化学; 薄膜; 能级; 光电流密度
中图分类号: O646
Photoelectric Properties of Graphene Oxide Film Prepared with the
Electrochemical Method Using Varying Levels of Reduction
LI Wen-You1 HE Yun-Qiu1,2,* LI Yi-Ming1
1
( School of Material Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 200092, P. R. China;
2Key Laboratry of Advanced Civil Engineering Materials of Ministry of Education, Tongji University, Shanghai 200092, P. R. China)
Abstract: This article details a quick and simple method to prepare graphene oxide (GO) film and tune its
energy level by adjusting the oxygen content. GO films wi
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