特种陶瓷课程设计_无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺计.docVIP

北方民族大学课程设计报告 　　 系（部、中心） 材料科学与工程学院 　 姓 名 学 号 　 专 业 材料科学与工程 班 级 材料（一）班 　 同组人员 　 课程名称 特陶课程设计 　 设计题目名称 无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺计 北方民族大学教务处制 目录 一、产品简介………………………………………………..2 1.1 碳化硅陶瓷的发展情况……………………………………….2 1.2 SIC结晶形态和晶体结构……………………………………2 1.3 本方案的目的及意义…………………………………………2 二、工艺概述………………………………………………3 2.1 SiC原料的制备………………………………………………3 2.1.1原料选择…………………………………………………….3 2.1.2 浆料的制备过程……………………………………………..3 2.1.3 喷雾造粒………………………………………………..........3 2.2 SiC陶瓷的成型……………………………………...3 2.3 碳化硅陶瓷的烧结…………………………………….4 2.3.1 SiC陶瓷烧结特点…………………………………………..4 2.3.2 添加剂的作用………………………………………………..4 2.3.3 SiC的烧结方法………………………………………….6 2.4 精密加工……………….…………………………………9 三、生产技术要求………………………………………10 3.1 SiC粉体的制备技术要求……………………………………10 3.2喷雾造粒的技术要求…………………………………………10 3.3坯料的成型技术要求…………………………………………11 3.4烧结技术要求…………………………………………………11 四 、生成设备………………………………………………12 4.1 本方案选择的设备………………………………………….12 4.2 设备详述……………………………………………………..13 五、SiC陶瓷性能检测及结果分析………………….22 六、 参考文献…………………………………………...25 七、小结………………………………………………………..25 附录一：SiC陶瓷成型采用的模具及产品……………………….26 附录二：SiC陶瓷生产工艺流程图……………………………..26 附录三：SiC生产工艺平面布置图……………………………….27 一、产品简介 1.1 碳化硅陶瓷的发展情况 碳化硅（SiC）陶瓷是以SiC为主要成分的陶瓷，SiC在自然界中几乎不存在，只在陨石中偶有发现。1893年美国人Acheson最早用SiO2碳还原法（SiO2+3C=SiC+2CO(g)）人工合成SiCf粉末，该法至今仍是碳化硅粉体合成机材料制备的主要方法，其后又建立了硅-碳直接合成法、气相沉积法、激光法、有机前驱体法等。 随着现代科学技术的发展，尤其是共价键材料烧结理论的建立，从20世纪60年代以来，碳化硅作为结构材料使用，在此之前主要用于磨料、耐火材料和发热元件的使用。1974年美国科学家Prochazka首先成功地采用亚微米级β－SiCα－Siβ－SiCα－Siβ－SiCβ－SiCβ－SiCα－Siβ－SiCα－Si碳化硅陶瓷的耐化学腐蚀性好、强度高、硬度高，耐磨性能好、摩擦系数小，且高温力学性能(强度、抗蠕变性等)是已知陶瓷材料中最佳的。热压烧结、无压烧结、热等静压烧结的材料,其高温强度可一直维持到1600℃是陶瓷材料中高温强度最好的材料。因而是制造密封环的理想材料。它与石墨材料组合配对时，其摩擦系数比氧化铝陶瓷和硬质合金小，因而可用于高PV值，特别是输送强酸、强碱的工况中使用 2.1.3 喷雾造粒 喷雾造粒时, 为了保持浆料的均匀性, 利用磁力搅拌器边搅拌边进料。浆料通过低喷式压力喷嘴雾化, 按混流方式与热空气混合并被干燥形成颗粒粉料。干燥过程中主要控制的工艺参数有浆料的固含量、 粘结剂的含量、 进出口温度、 压力及进料速率等。喷雾造粒结束后，测量其流动性和松装密度。 2.2 碳化硅陶瓷的成型 2.2.1钢模压制成型（干压法） 称取上一步喷雾造粒好的SiC 粉体40g，并将其放入预先润滑过的瓷环金属模内,敲匀落实后，放在压机上受压,所加压力为16t,使之密实成型,取出脱模。此法最大优势在于易于