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半导体物理基础 4 晶体结构 Crystal structure 5 能带结构 第二章 平衡载流子的统计分布 2.1 本征半导体和掺杂半导体 （4.4.3） 1 .本征半导体（intrinsic semiconductor） 2.3 Concentration and EF Calculations 例题 Chapter 3 Recombination-Generation  Processes（复合-产生过程） 3.1 非平衡载流子的产生与复合（ noneguilibrium carriers G-R ） 例题1 Chapter 4 Carrier Transport (载流子输运) 2 迁移率（Mobility） 例题 4.2 强电场下的效应(Hight-Field Effects) (3)热击穿 6. p-n结中的隧道效应 7. p-n结的光生伏特效应 4.2 金-半接触 1. 能带图 2. 整流特性 3.肖特基势垒二极管 (2)与p-n结二极管的比较 4.欧姆接触 （1）.表面态对接触势垒的影响 （2）欧姆接触的实现 4.3 半导体表面理论 一. 多子堆积状态(VG0) 二.多子耗尽状态(VG0) 三. 反型状态(VG0) 四. 应用 复习与思考 4.4 半导体的异质结 一 能带图 2. n-p型 3. p-p型 4. n-n 型 二. 异质结的主要性质 1. 可提高注入比 2. 窗口效应 3.限制光子的光波导壁界 WmWs 用重掺杂的半导体与金属接触 1.表面空间电荷区的特性 采用MIS结构来研究半导体表面(以p型半导体为例）. 垂直表面的外加电场使半导体表面形成空间电荷区. ns ≥ pp0 强反型 半导体的掺杂浓度越高,越不容易满足强反型的条件. N沟道 Vs—表面电势 势垒电容可以类比平板电容。电压的变化，引起空间电荷的变化，这类同于平板电容的充放电。但他们也不完全相同，势垒电容的势垒宽度随外加电压V变化，不同电压对应于不同的电容值，而平板电容之间的距离不变，电容值不随外加电压而变化。 势垒电容应用微分来表示 对于线性缓变结 对于突变结： 由于正向电压V的变化引起扩散区中储存电荷Q的变化，相当于电容的充放电。这种电容称为扩散电容。 (2) 扩散电容 CT与CD都与p-n结的面积S成正比，且随外加电压而变化，所以是一种非线性电容。 点接触式二极管面积很小， CT 、CD ：0。5—1pF 面结型二极管中的整流管面积大， CT 、CD ：几十—几百pF （3）总电容 p-n结的总电容为两者之和： 正向偏置p-n结时，以CD为主，Cj≈CD 反向偏置p-n结时，以CT为主，Cj≈CT 5. p-n结的击穿 在反向偏置下，当反向电压很大时， p-n结的反向电流突然增加，从而破坏了p-n结的整流特性-- p-n结的击穿。 p-n结中的电场随着反向电压的增加而增加，少数载流子通过反向扩散进入势垒区时获得的动能也就越来越大，当载流子的动能大到一定数值后，，当它与中性原子碰撞时，可以把中性原子的价电子激发到导带，形成电子-空穴对——碰撞电离。 (1)雪崩击穿 新产生的电子—空穴对再分别与其它的中性原子碰撞，又产生新的电子—空穴对。如此连锁反应，使得势垒区中载流子的数量倍增式的急剧增多，因而p-n结的反向电流也急剧增大，形成了雪崩击穿。 影响雪崩击穿电压的主要因素： 1.掺杂浓度:掺杂浓度大,击穿电压小. 2.势垒宽度:势垒宽度足够宽. 3.禁带宽度:禁带宽度越宽,击穿电压越大. 4.温度:温度升高,击穿电压增大. (2)齐纳击穿(隧道击穿) 是掺杂浓度较高的非简并p-n结中的击穿机制. 根据量子力学的观点,当势垒宽度XAB足够窄时,将有电子穿透禁带.当外加反向电压很大时,能带倾斜严重,势垒宽度XAB变得更窄.造成很大的反向电流.使p-n结击穿. 影响齐纳击穿电压的主要因素： 1.掺杂浓度:掺杂浓度大,击穿电压小. 2.禁带宽度:禁带宽度越宽,击穿电压越大. 3.温度:温度升高,击穿电压下降.. 齐纳击穿电压具有负的温度系数,而雪崩击穿电压具有正的温度系数,这种温度效应是区分两种击穿机构的重要方法. 掺杂浓度高,反向偏压不高的情况下,易发生齐纳击穿. 相反,易发生雪崩击穿. 禁带宽度较窄的半导体易发生这种击穿. 当p-n结的两边都是重掺杂时: (1) 费米能级分别进入导带和价