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《2电阻应变式传感器》.ppt
电阻应变计式传感器 第五节 电阻应变计式传感器 第六节 压阻式传感器 一.原理和特点 综上所述,电阻应变计有两方面的应用:一是作为敏感元件,直接用于被测试件的应变测量;另一是作为转换元件,通过弹性元件构成传感器,用以对任何能转变成弹性元件应变的其它物理量作简接测量。用作传感器 的应变计,应有更高的要求,尤其非线性误差要小(<0.05%~0.1%F.S.),力学性能参数受环境温度影响小,并与弹性元件匹配。 可制成各种机械量传感器,如测力传感器可测10-~107N压力传感器可测103~10Pa,加速度传感器可测到103级m/s2。 达1%~3%F.S.,高精度达0.1%~ 0.01%F.S.)。 (4)商品化,选用和使用都方便,也便于实现远距离、自动化测量。 图2.26?霍尔效应原理图 式中q为电子的电荷量;v为导电载流子的定向运动速度。在洛仑兹力的作用下,空穴正电荷被推向半导体的C侧面积累,而D侧面则形成负电荷积累,从而在半导体C、D间形成静电场EH。该电场力将阻止空穴继续向C面 偏转。当空穴受到的电场力与洛仑兹力相等时,达到 动态平衡。?此时有?? ? ??????????????????????????????????????????????????? (2-48) 由于电场强度与电势差之间存在EH=UH/b关系,代入式(2-48)可得霍尔电势的大小为 (2-49) 流过半导体的电流I常称为激励电流或控制电流,假设它分布均匀,则如下关系成立: (2-50) 个晶轴方向而言的三个独立分量。如果在晶轴坐标系中欲求任意晶向上的压阻系数,则需进行仔细计算。 压阻系数除了与晶向有关外,还与材料的掺杂浓度有关,掺杂浓度较低时,虽然压阻系数较大, 但其随温度变化也较明显,而这对传感器性能是不利的。 2.测量原理 硅压阻式传感器由外壳、硅膜片和引线组成,其核心部分是做成杯状的硅膜片,通常叫做硅杯。 外壳则因不同用途而异。在硅膜片上,用半导体工艺中的扩散掺杂法做四个相等的电阻,经蒸镀铝电极及连线,接成惠斯登电桥,再用压焊法与外引线相连。膜片的一侧是和被测系统相连接的高压腔,另一侧是低压腔,通常和大气相通,也有做成真空的 的。当膜片两边存在压力差而发生形变时,膜片各点产生应力,从而使扩散电阻的阻值发生变化,电桥失去平衡,输出相应的电压,其电压大小就反映了膜片所受的压力差值。 通常硅膜片在受压时的形变非常微小,其弯曲挠度远小于硅膜片的厚度,并且膜片常取圆形。因而求膜片上的应力分布,可以归结为弹性力学中的小挠度圆薄板应变问题。 设均布压力为P,则薄板上各点的径向应力σ r和切向应力σ t与其 作用半径r有如下关系: (2-44) (2-45) 式中? r、h——膜片的工作面半径、厚度; μ——泊松比(硅取 μ=0.35)。 均布压力P产生的应力是不均匀的,且有正应力区和负应力区。利用这一特性,选择适当的位置布置电阻,使其接入电桥的 四臂中,两两电阻在受力时一增一减,且阻值增加的两个电阻和阻值减小的两个电阻分别对接。这样既提高输出灵敏度,又部分地消除阻值随温度而变化的影响。因此,压阻式传感器广泛采用全等臂差动桥路。 二.压阻传感器的类型 1.压阻式压力传感器 压阻式传感器的基本应用就是测压,其工作原理如上所述。但是,根据不同的使用要求,它的 结构形式,外形尺寸和材料选择, 有很大的差异。例如,用于动态或点压力测量,则要求体积很小,生物医学用传感器,尤其是植入式传感器,则更要求微型化,其材料选取还应考虑与生物体相容;化工领域或在有腐蚀性气体、液体中使用的传感器,则要求防爆、防腐蚀;在岩土力学 研究中使用的传感器,则应考虑岩土与传感器材料的匹配,以及由于传感器的埋入而对原有应力场的影响等问题;气象部门要用绝对压力传感器,它在结构及形式上要考虑真空腔的设计;石油勘探部门不仅要求量程能达600大气压,而且温度要求在200℃下使 用。如此等等。用户应根据自己的需要,选用合适的产品。 压阻式压力传感器的性能指标主要有: ①量程:目前最高量程达6×105Pa; ②精度:一般在0.2~0.5% F.S.之间,最高达0.1%F.S.; ③满量程输出:通常不低于几十毫伏; ④零点温漂:每摄氏度引起零位输出漂移,一般要求小于5×10-F.S./℃;
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