《第三章 电阻材料》.pptVIP

电阻材料是指常用的电阻器、片式电阻器、混合集成电路小的薄膜和厚膜电阻器、可变电阻器和电位器器等所用的电阻阻体材料。主要包括： 1 线统电阻 2 薄膜电阻 3 厚膜电阻 电阻器：将电阻材料做成具有一定形状、结构的实体元件, 常称它为电阻器或电阻元件。 电阻器功能：调解和分配电能。在电路中常作分压、 调压、分流、消耗电能的负载以及滤波元件等 电阻器形状： 线状 ——线绕电阻器 薄膜状 ——薄膜电阻器 片状 ——片状电阻器 蒸发铝膜、导电漆膜、印制电路板铜箔膜等薄膜状导电材料，衡量它们厚度的最好方法就是测试它们的方阻。 方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的，不管边长是1米还是0.1米，它们的方阻都是一样，这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关。 1 纯金属 纯金属电阻：由电子与晶格的振动（格波）相互碰撞引起的散射产生的。 温度↑，电子平均运动速度↑，平均碰撞次数↑，平均自由程↓，电阻率↑ 2 合金材料 合金材料：金属中加入其他金属原子后， 破坏原来晶格的周期性排列，使自由电子的散射几率增加。其结果是合金的电阻率比纯金属的电阻率高。 合金电阻率与温度的关系： 金属膜的结构： ①厚度大于100 nm。这种薄膜呈连续状结构，其电性能与块状金属接近．有较小的电阻率和正的电阻温度系数。 ②厚度为100 nm以下到几1纳米。这种薄膜基本上是连续的，但有时会出现一些孔洞、沟道，形成一种网状结构。电阻值随厚度减小而增大，电阻温度系数逐渐减小而接近于零。 ③厚度在几纳米到几十纳米之间。薄膜呈不连续的岛状结构，电阻值随厚度减小而急剧增大，电阻温度系数为负值。 连续金属膜类似于块状金属膜： 连续金属膜中，除了晶格热振动和杂质散射引起的电阻之外， 还有其他缺陷如填隙原子、空格点、位错和晶界等。也对电子 有散射作用，从而对电阻有贡献，尤其是晶界对电阻的作用。 不连续金属膜： 电阻率随厚度减小急剧增大，电阻率虽温度增加而 减小，电阻率与温度的关系类似于半导体材料。 提高电阻率和降低电阻温度系数的常用措施 尽量采用合金、多元合金，有温度系数补偿杂质的合金； 把金属和合金做成线材、薄膜、厚膜或箔状； 在金属和合金粉状材料中加入绝缘填充料，用有机或无机粘结剂制成合成型电阻材料； 将金属和合金氧化物或与其他非金属材料组成化合物等。 4 电阻材料的电压特性 在外加电压下，电阻材料的电阻值一般是线性的。即是说符合欧姆定律，其阻值与电压无关。 如果，电阻材料内部结构不均匀、不致密、不连续、接触不良、存在缺陷、颗粒分散不均，因而会出现非线性。 这种电阻材料具性能： 电阻率高 电阻温度系数 温度范围宽、耐热性高 稳定性好 耐磨等 是制造线绕电阻器利线统电位器的绕组材料 3.3薄膜电阻 薄膜电阻器是用蒸发或溅射的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。 膜厚一般在1μm以下，人们常称它为薄膜电阻材料。 体积小、 阻值范围宽 电阻温度系数小 性能稳定 容易调阻 易于散热 用料少 1.碳膜电阻 碳膜的结构类似石墨的多晶结构。由许多小晶粒组成，每一个小晶粒像一个石墨的晶体。 2.金属膜电阻 金属膜电阻一般有帽盖结构、圆柱结构、片状结构及无引线结构等形式。 3.金属氧化膜电阻 金属氧化膜电阻（灰色）：是由能水解的金属盐类溶液(如四氯化锡和三氯化锑)喷涂在炽热的玻璃或陶瓷的表面（～700 ℃ ），经水解反应沉积出金属氧化物。 金属氧化膜：Sn-Sb氧化物, Sn-In氧化物, Sn-Sb-Al 氧化物 电阻器特点： 比金属膜电阻器抗氧化能力强，抗酸、抗盐的能力很强， 耐热性好（温度可达240℃）。 由于金属氧化物的特性和膜层厚的限制，阻值范围小 4.金属-陶瓷电阻薄膜 5.合成膜电阻 合成膜电阻：以碳黑作为导电材料，以有机树脂为粘合剂混合制成导电悬浮液，均匀涂覆在陶瓷绝缘基体上，经加热聚合而制成高压和高阻值电阻器 。 合成碳膜电阻器的性能特点： 价格低廉； 阻值范围高； 抗湿性差； 电压稳定性低； 频率特性不好； 易加工。 这种电阻器不适用于通用电阻器，主要用他制造高 压，高阻，小型电阻器。 3.4 厚膜电阻 厚膜电阻材料：用厚膜电阻浆料通过丝网印刷、烧结(或固化)在绝缘基体上形成的一层