3kA4.5k大功率GTO关键工艺研究.pdfVIP

摘要 GTO为自关断器件，应用广泛。本文目的是研究GTO工艺，研 制出国产的3kA]4．5kV GTO，作为核心部件，替代进口元件，应用在 大功率交流机车上，促进铁道交通运输的发展。 文章主要对3kA／4．5kV GTO器件的关键工艺一离子注入扩散、 光刻和挖槽进行了研究试验。在GTO的制造中引入离子注入、微电 子光刻及挖槽技术，改善扩散参数的均匀性，提高光刻和挖槽精度， 提高GrO的阳极关断电流能力。 研究硼离子注入技术和铝扩散工艺，形成独创的离子注入硼杂质 +闭管铝扩散工艺，使GTO芯片的表面浓度均匀性超过了4％，有效 解决了铝扩散不到位的问题。开发扩散工艺模拟程序，对扩散过程进 行模拟计算，提高对工艺的控制能力，大大节约了研制成本和时间。 研究3k．4d4．5kVGTO的精密光刻和挖槽技术，其光刻次数多， 精度要求高。根据GTO光刻和挖槽的特点，从光刻杌的性能，光刻 胶的选用，刻蚀和挖槽工艺改进着手，进行了大量的研究工作，较好 地保证了GTO的光刻和挖槽质量。Si02层腐蚀工艺设计巧妙，挖槽 均匀性接近5％，3kA／4。5kV GTO芯片的梳条废条率低于万分之二。 文章对研制出来的GTO进行了静态和动态特性测试，测试结果 表明：研制出来的3kA／4．5kVGTO器件开通、关断特性较好，能有 效关断3000A的阳极电流，达到了预期目标。3kA／4．5kVGTO样品 通过了斩波和逆变应用试验及省级科技鉴定，并获得2006年湖南省 科技成果进步二等奖。 关键词：GTO，工艺研究，离子注入扩散，光刻，挖槽 Abstract used TheGTOisakindofselfturned-off be on device，and many to the fields．This is researchof3kA／4．5kV paper’Spurposecomplete theGTOwillinsteadof to in GTO devices device，and imported apply AClocomotives，andthe ofChinasrail lligllpower promotedevelopment transportation． Inthe of3kA／4．5kVGTO’Smanufacture paper,somekeyprocess arediscussedindetailsuchasIon plantation and Can the wet-etchinggrooving．Thesetechnologiesupdateuniformity ofdiffusion the and parameters，andimproveprecisionofphotolithograph current ofGlD． etching．andpromoteturn-offcapab