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电子碰撞原子内壳层电离截面的实验研究 核技术及应用专业 博士生昊英 指导教师安竹 低能电子碰撞原子内壳层电离截面测量的研究在理论和实际应用方面都具 有重要意义。一方面，目前的理论还不成熟，需要精确的实验数据检验理论， 促其发展；另一方面，内壳层电离截面数据在许多高科技应用领域必不可少。 然而，现有的内壳层电离截面实验数据较为缺乏，且存在不同作者给出的实验 结果分歧较大现象。因而改进实验技术和发展数据处理方法是这一课题研究的 关键。 本论文对影响电离截面实验结果的各种可能因素都做了细致地研究。主要 为以下几个方面；1．记录入射电子数的法拉第简顶孔和侧孔会引起电子逃逸， 电子逃逸率的估算用一般方法解决存在着困难。作者应用PENELOPE程序，构 建一个符合法拉第筒几何特征的系统文件，通过模拟大量电子在法拉第筒中的 输运，得到本工作中电子在法拉第筒中的逃逸率不到0．3％的结论；2．Si(Li)探 测器几keV能区的刻度问题一直存在着困难，而本工作要求必须对Si(Li)探测 子碰撞厚碳靶的实验韧致辐射谱与PENELOPE计算得到的理论韧致辐射谱进 落原因，得到的相对效率刻度曲线起伏较大。我们截取相对效率刻度曲线起伏 较小的低能段，采用最／J,-乘法对Si(Li)探测器各厚度参数进行拟合，由拟合 结果即可算得Si(Li)探测器整个探测能区准确的相对效率刻度曲线。这时，再 可准确得到；3．采用薄靶厚碳衬底做样品时，入射电子在靶膜中的多次散射和 能损及衬底表面的反射电子、韧致辐射光子对内壳层电离截面的测量都有影响， 因此需对实验数据进行修正。我们发展了完全的蒙特卡罗修正方法处理数据： 对大量入射电子在薄膜厚村底样品中的输运过程进行模拟，以完成膜厚及衬底 存在引起的全能峰净计数增加程度的估算。蒙特卡罗方法模拟时，输入材料数 据中采用的内壳层电离截面数据不同，得到的反映膜厚及衬底对电离截面测量 结果影响的修正因子值也有差别。作者讨论了蒙特卡罗模拟得到的修正因子值 受输入材料数据库中内壳层电离截面影响的程度。用完全的蒙特卡罗修正方法 得到的结果较以往采用的解析法更为准确，给截面结果引入的误差低于3％； 4．用卢瑟福背散射方法对膜厚进行了测量，以检验制靶者提供的膜厚值是否准 确。 ． I 离截面和Ag、W元素的L壳层截面数据进行了验证，其他的截面数据均为首 次测量。对K壳层截面测量值的分析结果显示，在本工作能区，低Z原子的 的经验公式结果和Hombourger经验公式结果较为一致，本实验结果表明这两 个经验公式并非适于所有Z原子K壳层电离截面计算；在误差范围内，我们得 壳层电离截面，同他人使用单质zn薄靶的实验结果符合较好。将本工作得到 Bi等较高z原子，L壳层产生截面实验值与PwBA-c．Ex理论值符合较好。 本论文还对电子碰撞原子内壳层电离截面测量的厚靶方法做了探讨，提出 了韧致辐射及电子散射对截面测量结果影响的修正方法。我们在计算反映韧致 辐射及电子散射对电离截面贡献份额的f因子时发现，f与靶原子的种类有关： Z越大，f就越大；对同种z原子，f还与壳层有关：K壳层的f因子值大于L 壳层的f因子值。总之，电子碰撞厚靶，韧致辐射对内壳层电子电离的贡献程 度取决于内壳层电子的电离阈能，电离阈能越大，’韧致辐射对内壳层电子电离 的贡献率就越大，反之则越小。另外，在靶原子序数z及特征峰种类相同的条 电子碰撞Ni厚靶为例，测量了Ni的K壳层电离截面。实验结果与他人的实验 数据及PwBA．C-Ex理论符合较好。 关键词：电子碰撞 内壳层电离截面蒙特卡罗模拟修正方法厚靶方法 oftheMeasurementofAtomicInner-Shell Study Ionizationcross—sectionsElectron by Impact ‘ andits Major：Nucleartechnologyapplication ． Ph．D．Candidate