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电子产品的爬行腐蚀失效 何敬强、涂运骅 华为技术有限公司工艺技术研究部 [2010 .7 .1] 摘要：随着欧盟无铅化进展，以及亚太发展中国家环境的不断恶化，爬行腐蚀现象引起业界的广泛 关注。本文通过调研业界相关研究数据，探讨了爬行腐蚀的产生机理、影响因素以及可能的预防措 施与评估方法。 硫和硫化物是电子产品的天敌，厚膜电阻的硫化失效已为业界熟知 （图1 ）。但随着电子产品无铅 化的进展，爬行腐蚀（Creep co rrosion ）问题也逐渐引起业界的关注 （图2 ）。根据相关报道，这 种腐蚀发生的速度很快，甚至有些单板运行不到一年即发生失效。 马里兰大学较 研究了翼型引脚器件上的爬行腐蚀，并对腐蚀机理进行了初步的探讨[1,2] 。与枝晶、 CAF 类似，爬行腐蚀也是一个传质的过程，但三者发生的场景、生成的产物以及导致的失效模式并 不完全相同，具体对比见表 1。 爬行腐蚀的机理 马里兰大学的 Ping Zhao 等认为，爬行腐蚀过程中首先发生的是电化学反应，同时伴随着体积膨胀 以及腐蚀产物的溶解/扩散/沉淀[ 1]。即，首先是铜基材被氧化失去一个电子（可能伴有贵金属如 Au 等的电偶加速作用），生成一价铜离子并溶解在水中。由于腐蚀点附近离子浓度高，在浓度梯度的 驱动下，一价铜离子会自发 向周围低浓度区域扩散。当环境中相对湿度降低、水膜变薄或消失时， 部分一价铜离子会与水溶液中的硫离子等结合，生成相应的盐并沉积在材料表面，如图3 所示。 爬行腐蚀的产物以硫化亚铜为主，这是一种 P 型半导体，不会造成短路的立即发生；但随着其厚度 的增加，其电阻减小。此外，该腐蚀产物的电阻随湿度的变化急剧变化，可从 10M 欧姆下降到 1 欧 姆[2] 。 环境因素的影响 温度 从化学反应动力学的观点来看，温度升高，化学反应速率会加快，但相对湿度也会降低。因此，实 际温度到底在多大程度上影响了爬行腐蚀的速率目前尚不明确。 湿度 业界研究表明，只需 50 ％的湿度，PCB 表面就会形成一层水膜。Leyg raf ，C 等人的研究认为，随 着相对湿度从 0～80%之间变化，干净金属表面可沉积 2 ～10 分子层的水膜[3] 。 根据爬行腐蚀的溶解/扩散/沉积机理，湿度的增加应该会加速硫化腐蚀的发生。Ping Zhao 等人认为， 爬行腐蚀的速率与湿度呈指数关系[ 1]。Craig Hil lman 等人在混合气体实验研究中发现， 随着相对 湿度的上升， 腐蚀速率急剧增加，呈抛物线状[4] 。由图4 可见，当湿度从 60%RH 增加到 80% 时， 腐蚀速率变为原来的将近 3 .6 倍。此外，作者也指出，此规律仅适用于铜的硫化；对于银而言，湿 度增加，腐蚀速率无明显变化。 电压梯度 马里兰大学的 Ping Zhao 、Michael Pecht 等设计了S IP 假件，并向引脚间施加 0～20V 不等的电压 （图5 ），在 Te lco rdia Outdoo r MFG Ⅱ级实验 15 天后，加/ 不加电压的S IP 的引脚均出现了腐蚀， 且腐蚀程度也无明显差别。作者认为，电压对爬行腐蚀无明显影响[2] 。 腐蚀性气体种类与浓度的影响 业界公认硫化氢是可以导致爬行腐蚀的，这已被大量的案例和实验证明。HP 认为，对于电子产品， 环境硫化氢的浓度最高不能超过 4 .2ug/ m3 （正常大气中硫化氢浓度约为 0 .5 ug/ m3 ）[5] 。 单纯的二氧化硫是否可以导致爬行腐蚀，目前还没有明确结论。Leyg raf ，Rice 的认为二氧化硫是导 致 Ni 腐蚀的主要因素[3] 。西安中大科技有限公司的赵晓利、张宝根等人通过化学方法制备了 10±3ppm 的SO2 气氛，并将铜片置于其中。实验结果发现，40±2 ℃、96 小时后，铜片表面生成大 量黑色腐蚀产物；作者认为是 CuSO4 与 CuS 的混合物[6] 。 M. Reid 、A bbott 用 MFG 实验研究了SO2 的影响，混合气体实验中(H2S 100ppb，NO2 200ppb ， Cl2 10ppb)，SO2 的量则分为 0 、100、200p pb 三个等级。实验发现。三种条件对铜的腐蚀并无明 显区别。但作者也指出，由于实验中使用的是纯铜 不是镀镍的样品，因此建议混合气体实验中仍 然保留二氧化硫[7] 。 Rice 认为，爬行腐蚀的潜伏期和爬行距离取决于 Cl2 浓度[4] ，爬行的倾向与