铁磁%2f亚铁磁双层膜的制备及其的研究.pdfVIP

摘要 当今，数据存储的高速增长成为信息时代的重要特征，而磁记录存储又是数据存 储的最主要方式。据预测，到2010年全球产生的数字化信息总量有望达到1万亿 Gbit，数字化信息量的迅猛增长同时带动了存储技术的发展。为了保持硬盘产业的领 先地位，磁记录密度在产业界和研究人员的共同努力下不断提高，日立(Hitachi Ltd)于2008年8月宣布了了610 Gbiffin2的磁记录密度，而单个记录位的尺寸更是 降到了纳米量级。在此情况下，超顺磁效应成为当前限制磁记录密度提高的主要因 素，为了克服这一限制，采用具有高的磁各向异性常数(凰)的材料作为磁记录介质 已经成为研究热点，但同时也带来了写入难的问题。针对这些问题，热辅助磁记录 Media)、构型记录位介质 (HAMR)、交换弹性耦合介质(ExchangeSpring (BPM)以及交换耦合复合介质(ECC)等方案被相继提出，其中热辅助磁记录被 认为是一项具有应用前景的技术，并且采用双层结构薄膜能更有效的提高写入能力。 本文就是在这一背景下研究了铁磁／亚铁磁交换耦合双层薄膜的制备及磁特性。