稀磁半导体新材料的电子结构和自旋调控的研究.pdf

摘要 摘 要 稀磁半导体(DMS)兼有磁性和半导体的特性，是一种很好的自旋极化载 流子源，可用于制造新一代的自旋电子学器件，成为当前国际上磁电子学领域 的研究热点。然而，众多实验方法制备出来的稀磁半导体材料的磁性结果有很 大的差别，并且对铁磁性的来源也存在诸多争议。本论文主要利用同步辐射X 射线吸收精细结构谱学(XAFS)技术和密度泛函理论(DFT)方法，结合X III．V、IV族等稀磁半导体的结构和性能。 通过超导量子干涉仪测量了Mn和(Mn，N)共掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的磁 学性质，结果表明样品在室温下为铁磁性。XAFS实验结果获得了Mn和(Mn，N) 共掺杂ZnO基、Mn掺杂GaN基等稀磁半导体薄膜样品中掺杂原子的价态、分 布、和配位环境等结构参数。XAFS分析结果表明ZnO基薄膜样品中Mn和N 主要以替代位形式存在、而GaN基薄膜样品中Mn的存在形式由掺杂量决定。 利用第一性原理计算，阐明了稀磁半导体体系中掺杂原子的局域结构和存在形 式对系统的电子结构和磁相互作用的调控本质。第一性原理电子结构计算表明 ZnO基稀磁半导体薄膜样品中的本征缺陷Zn空位和共掺杂原子N在价带顶形 成浅受主杂质能级与0的劲态充分