有机%2f无机界面几何结构、电子结构以及其电荷传输动力学研析.pdf

摘要 摘要 近年来，有机半导体分子得到广泛的关注，因为它们在有机发光二极管 阳能电池(DSSC)等有机电子学器件中有着广泛的应用。在这些有机电子学器件 中，有机分子／衬底界面之间的性质决定器件的性能，因此，研究界面处的电学 性质，尤其是电荷传输动力学有助于我们深入了解有机电子学器件的工作原理， 对设计和优化器件有重要的指导意义。 本文利用同步辐射能谱技术以及其它表面分析手段对有机半导体分子与功 能性衬底界面间的电子结构、分子取向、界面相互作用、界面传输动力学以及 他们之间的关系进行了系统研究。具体研究内容和取得的结果包括以下几个方 面： l 首先，利用有机分子束沉积(OMBD)方法在Au(11)／mica上沉积PTCDA薄 膜。使用光电子能谱(PES)、近边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)、X射线衍 1 射(XRD)以及原子力显微镜(AFM)系统研究了PTCDA／Au(11)／mica界面电子结 构、PTCDA分子在表面的生长、分子的排列、有机薄膜的表面形貌以及影响因 11)界面间存在弱电子传输过程， 素。PES价带谱结果表明PTCDA分子和Au(1 但并没有发生明显的化学反应。角分辨NEXAFS和紫外光电子谱(Eras)均证明， 在-．2ML／min的生长速率下，PTCDA分子是平铺在金属衬底表面的。根据Au ls峰积分强度随薄膜厚度的变化以及AFM图像可知，PTCDA分子在 4舶和C 再岛状生长，层层生长的厚度约为2ML。在层状生长到岛状生长的转变过程中， 存在有机分子的去润湿过程；而在在一0．5ML／min的生长速率下，PTCDA分子 在衬底表面主要是无序排列的。 为了了解PTCDA与Au的界面相互作用的本质，以及界面电荷传输动力学， clock 我们使用PES谱、角分辨NEXAFS谱和芯能级空穴时钟谱(Core．hole 11)单晶表面的分子取向和电荷传输动力 spectroscopy)，研究了PTCDA在Au(1 学。角分辨NEXAFS结果表明，单层膜和多层膜的情况下，PTCDA分子均高 11)衬底表面。在激发态情况下获得的LUMO轨道低于衬底 度有序平铺在Au(1 的Fermi能级，因此，电子从LUMO轨道向衬底导带的跃迁是能量禁止的。单 层膜的共振结构与多层膜的共振结构几乎相同，此共振结构说明，虽然分子有 序平铺在衬底表面，但是高能量轨道的界面电荷传输时间仍然远大于芯能级空 穴寿命(6fs)。单层膜时，较慢的电荷传输过程主要是由PTCDA／Au(111)界面处 摘要 弱的电子耦合导致的，这充分证明PTCDA与Au(111)衬底之间是范德华相互作 11．)衬底之间较弱的相互作用可能有利于分子在衬 用。虽然PTCDA分子与Au(1 底表面的有序排列，但是这种弱的相互作用却不利于界面电荷传输。 为了进一步研究界面电子耦合和分子取向对界面电荷传输的影响，我们使 clock 用更活泼的功能性衬底—币02。使用PES、NEXAFS和Core-hole 的电子结构、化学相互作用、分子取向、能级排列及电荷传输动力学。PES结 裂，其中O原子与表面五重配位钛(Ti5f)原子反应并形成共价键，而C原子与附 近的桥位氧(ob)原子反应，形成C．0．Ti键。除了酸酐官能团(Anhydridegroups) 参与了与1ri02的反应，PTCDA分子中的花核心(Perylenecore)也参与了与衬底 的反应，形成了一个新的Cls组分。在最高占据态分子轨道(HOMO)低结合能 处存在一个带隙态充分证明了PTCDA分子与Ti02衬底间较强的电耦合作用。 在Ti02表面，PTCDA分子先层一层生长后岛状生长，层—层生长的厚度约为2 单层(ML