溶液化学合成Cu2ZnSnS4纳米晶及胶体墨水薄膜.pdfVIP

摘要 随着传统能源的日益枯竭和环境问题的加剧，对新能源的研究越来越引起人 们的重视。其中，太阳能资源以其清洁无污染和取之不尽、用之不竭的优势得到 了长足的发展。锌黄锡矿结构的CuzZnSnS4属于I2一II．Ⅳ．、／14型四元化合物硫族 半导体材料，是良好的太阳能电池吸收层材料。它是直接带隙半导体，禁带宽度 为1．45．1．50eV，接近太阳能电池材料的最佳禁带宽度，吸收系数大于104cml。 此外，Cu2ZnSnS4所含元素均为无毒无污染的常见元素，在地壳含量较为丰富， 因此，生产成本大大降低，副产品对环境的污染也较小。 本文研究多元醇溶液化学法CuzZnSnS4纳米晶的合成及其胶体墨水制备，通 硫脲和硫代乙酰胺为硫源合成CtuZnSnS4纳米晶。通过对反应物配比、注入温度、 回流时间、络合剂含量、分散剂含量和注入方式等因素变化对产物影响的研究， 物的晶体结构、元素配比、分散性和光学性能等进行了表征。 实验结果表明，在四乙二醇体系中，采取将阳离子源注入阴离子源的方式， 萄糖含量O．1 g，PVP的含量为0．29时可以得到基本符合化学计量比、分散性良 好的Cu2ZnSnS4纳米晶，测得其禁带宽度为1．50eV左右。浸渍．提拉法制备的 度有所提高。但