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关于金属半导体接触电场方向的讨论 摘 要：半导体物理是许多专业的基础专业课，关系到诸多专业的知识提高与创新基础。但由于授课时长的限制，许多专业内容没有深入，造成了学生理解上的障碍。文章就书本中没有讲到的问题，尤其是关于金属半导体接触电场方向进行了讨论。 关键词：金属半导体；电场方向；接触 半导体物理是许多专业的基础专业课，关系到诸多专业的知识提高与创新基础。但由于授课时长的限制，许多专业内容没有深入，造成了学生理解上的障碍。下面，笔者就书本中没有讲到的问题，尤其是关于金属半导体接触电场方向进行讨论。 为了更清楚的介绍金属半导体的接触，我们首先介绍金属半导体的功函数。金属功函数是指真空中静止电子的能量e0与金属的ef能量之差，即wm＝e0－（ef）m，表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小值。同样，半导体的功函数是指真空中静止电子的能量e0与半导体的ef能量之差，即ws＝e0－（ef）s。我们在此讨论在金属半导体的接触过程中，金属和n型半导体接触的情形。同时我们假设在金属半导体接触时金属与半导体具有共同的真空静止电子能级且金属的功函数wm大于半导体的功函数ws。我们分为如下两种情况讨论：接触间隙较大的情况和紧密接触时的情况。 1 接触间隙较大的情况 如图1所示，即为接触间隙较大时金属半导体的能带图。其中ef为电子费米能级。 在接触间隙较大时，半导体一侧的电子向金属一侧流动，使得金属表面的电子增多，金属表面带负电，使得金属的电势下降。而半导体的表面此时由于缺少电子而带正电，半导体的电势上升。这样，在金属半导体之间形成了接触电势差。此时的金属半导体之间的电场方向是从半导体指向金属的。 由于接触时电子向金属一侧流动，使得金属表面带负电荷，而半导体表面带正电荷，电场的方向是从正电荷指向负电荷的，此即此时的电场方向。达到平衡时金属半导体具有统一的费米能级。 注：图1中，d为金属半导体之间的间隙。 2 紧密接触时的情况 如图2所示，即为在金属半导体紧密接触时的情形。将此情形与接触间隙较大时的情形比较可知，金属半导体之间的缝隙被压缩甚至到可看作一条线，将其合理放大画作如图所示。现在讨论在接触间隙较大时的金属半导体之间的电场在此情形时（即紧密接触时）的情况。 在紧密接触时，半导体内的电子同样会向金属一侧流动，而由于接触间隙很小，使得半导体表面存在有空间电荷区，在空间电荷区内存在电场，电场造成能带弯曲。使半导体表面与内部之间存在电势差，该电势差称为表 面势vs，接触电势差一部分落在金属与 半导体界面vms，一部分落在半导体表 面即上面所提到的表面势vs。此时如果 接触间隙接近原子间距，电子可自由穿 过间隙，此时有vms趋于0，接触电势 差大部分降落在空间电荷区，考虑极限 情况，即为忽略间隙的能带，见图3。 此时的接触电势差完全降落在空间电荷区，在半导体的表面会形成一个空间电荷区，此空间电荷区的电场方向为从体内指向体表（上图中即为从右往左）。 那么，此电场方向为什么是从体内到体表？很多人会有这样一个误区，即认为电子的流动方向是从半导体到金属，则根据电子的流动来反推电场的方向应为从半导体表面指向内部，由此进一步应得到在半导体表面的能带情况应该是向下弯曲的，与书本所讲相反。在此，这种理解是错误的，现就讨论说明紧密接触时半导体表面电场的方向问题。 在紧密接触时，由于接触前金属半导体费米能级不相等，为了达到相等时的平衡状态（统一的费米能级是平衡的标志），电子会由半导体一侧向金属一侧流动，使得半导体一侧的能带向上弯曲，最终达到平衡状态，即金属半导体具有统一的费米能级。而电子从半导体向金属一侧的流动，其动力来源不是内部的电场作用，而是费米能级的不相等所存在的某种力的作用。费米能级的物理意义为，在该状态上电子占据的概率是1/2的能级。那么由于费米能级的不相等，出现了电子的流动，可以将电子流动的动力理解为一种能量差（类似于浓度差的不相等引起的扩散作用），而不是电场的作用而导致的电子的流动。因此，很多人理解的由于电子的流动是从半导体向金属一侧流动而推出的电场方向是错误的，那么，电场的实际方向是从半导体的表面指向内部的，这又应作何解释呢？我们可以这样理解，在接触间隙较小直到可以忽略的情况，皆为接触间隙较大时的特例，那么此时的半导体表面的电场即为在间隙较大时的金属和半导体之间的电场向半导体内部移动所得，其方向和间隙较大时的方向应该是一致的，即为从半导体的表面指向内部。 至此，我们讨论了在金属半导体接触过程中的电场的方向问题。现总结如下：在金属半导体接触时，当间隙较大时，金属半导体之间的电场方向是从半导体指向金属的，而当间隙较小直至可以忽略时，半导体表面的电场方向是从半导体的内部指向体表。