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嵌入式系统及应用——第3章 基于ARM的嵌入式系统外网硬件设计创新.ppt
第三章 基于ARM的嵌入式系统 外围硬件设计 核心内容 3.1 嵌入式处理器系统硬件设计 一、芯片选型原则 二、电源模块设计 三、时钟模块设计 四、复位电路设计 3.2 嵌入式存储器系统设计 存储器的分类 在复杂的嵌入式系统中,存储器系统的组织结构按作用可以划分为4级:寄存器、cache、主存储器和辅助存储器,如下图所示。当然,对于简单的嵌入式系统来说,没有必要把存储器系统设计成4级,最简单的只需寄存器和主存储器即可。 概述 嵌入式系统的存储结构 概述 高速缓存Cache 高速缓冲存储器中存放的是当前使用得最多的程序代码和数据,即主存中部分内容的副本。 在嵌入式系统中Cache全部都集成在嵌入式微处理器内。 可分为数据Cache、指令Cache或混合Cache。 不同的处理器其Cache的大小不一样。 一般32位的嵌入式微处理器都内置Cache。 概述 Cache命中:CPU每次读取主存时,Cache控制器都要检查CPU送出的地址,判断CPU要读取的数据是否在Cache中,如果在就称为命中。 Cache未命中:读取的数据不在Cache中,则对主存储器进行操作,并将有关内容置入Cache。 写入方法: 通写(Write Through):写Cache时,Cache与对应内存内容同步更新。 回写(Write Back):写Cache时,只有写入Cache内容移出时才更新对应内存内容。 概述 主存 主存是处理器能直接访问的存储器,用来存放系统和用户的程序和数据。 嵌入式系统的主存可位于SoC内和SoC外,片内存储器存储容量小、速度快,片外存储器容量大。 可以做主存的存储器有: ROM类:Nor Flash、EPROM、E2PROM、PROM等 RAM类:SRAM、DRAM、SDRAM等 概述 静态随机存取存储器(SRAM) 存储信息:六管基本存储电路 典型芯片规格:2114(1KX4) 6116(2KX8) 6264(8KX8)62128(16KX8)62256(32KX8) 概述 动态随机存取存储器(DRAM) 存储信息的基本单元(1位)电路可采用4管、3管和单管电路 需要不断刷新(为维持动态存储单元所存储的信息,必须设法使信息再生,这即所谓的刷新) 与SRAM不同的是:为节省外部引脚,同样容量的DRAM外部地址线引脚是SRAM一半 DRAM采用行/列地址选通,将地址通过内部分成两路 DRAM控制器:解决刷新和多路 动态随机存储器的接口 DRAM中的存储单元内容在通电状态下随着时间的推移会丢失,因而,其存储单元需要定期的刷新。CPU与其接口的信号线除了有与SRAM相同的信号线外,还有RAS(行地址选择)信号线和CAS(列地址选择)信号线。需要这些信号的原因是可以减少芯片地址引脚数(这样只需要一半地址引脚),并且方便刷新操作。 概述 SDRAM(Synchronous RAM) CPU和RAM共享相同的时钟周期,以相同的速度同步工作 基于双存储器结构,内含两个交错的存储阵列,读取效率得到成倍提高 是DRAM中速度最快的一种 概述 外存 外存是处理器不能直接访问的存储器,用来存放用户的各种信息,容量大。 在嵌入式系统中常用的外存有: NandFlash DOC(Disk On Chip) CF(Compact Flash) SD(Secure Digital) MMC(Multi MediaCard)等 电子盘 电子盘采用半导体芯片来存贮数据,具有体积小、功耗低和极强的抗震性等特点。 在嵌入式系统中普遍采用各种电子盘作为外存。 常用的电子盘有:NandFlash、MMC、SD、Memeory Stick、CF、SM、DOC等。 NandFlash NandFlash是Flash Memory的一种。 Flash Memory的中文称为快闪存储器或快速擦写存储器。 Flash Memory由Toshiba于1980年申请专利,并在1984年的国际半导体学术会议上首先发表。 目前在Flash Memory技术上主要发展了两种非易失性内存 一种叫NOR(逻辑或),是Intel 于1988年发明的 另一种叫NAND(逻辑与)是Toshiba于1999年创造的。 NandFlash NandFlash可独立成为外存,也可组成其他各种类型的电子盘如USB盘、CF、SD和MMC存储卡等。 NandFlash强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。 NandFlash具有容量大、回写速度快、芯片面积小等特点,主要用于外存。 NOR Flash具有随机存储速度快、电压低、功耗低、稳定性高等特点,主要用于主存。 NandFlash:128M X 8 bit NandFlash:128M X
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