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半导体物理习题课
习题课
1、半导体硅单晶的相对介电常数εr=11.8,电子和空穴的
有效质量各为mnl=0.97m0 (电子纵向有效质量)
mnt=0.19m0 (电子横向有效质量),
mph=0.53m0 (重空穴有效质量),mpl=0.16m0 (轻空穴有
效质量),利用类氢模型估算:
(1)施主和受主电离能;
(2 )施主和受主对应的电子、空穴基态轨道半径r1;
(3 )相邻杂质原子的电子或空穴轨道明显交迭时,施主
和受主浓度各为何值?
(1)利用下式求得mn *和mp *
1 1 1 2 1 1 2 3.85
( =+ ) ( =+ )
m * 3 m m 3m 0.97 0.19 m
n nl nt 0 0
1 1 1 6 1 1 6 2.51
( =+ ) ( =+ )
m * 7 m m 7m 0.16 0.53 m
p pl ph 0 0
因此 施主和受主杂质电离能各为
, :
m * E 13.6
ΔED n 0 0.26 × 0.025(eV)
2 2
m ε 1 1.8
0 r
m * E 13.6
ΔEA P 0 0.4 =× 0.039(eV)
2 2
m ε 1 1.8
0 r
(2 )基态轨道半径各为:
0
ε r
r B 1
r 11.8×0.53/ 0.40 15.64 A
1,p *
m / m
p 0
0
ε r
r B 1
r 11.8×0.53/ 0.26
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