大容量闪烁存储器AT45D081 及其在税控加油机中的应用.pdfVIP

大容量闪烁存储器 AT45D081 及其在税控加油机中的应用 文章作者：张先庭 周 伟 文章出处：国外电子元器件 摘要：介绍了大容量闪烁存储器 AT45D081 的特点和主要功能，描述了其引脚定义、工作原理、操作指令及读写时序。结合税 控加油机给出了它的硬件设计和相关的软件编程。 关键词：AT45D081 ；税控加油机；可靠性 在电子产品的设计中,经常存在断电后数据或机器参数的保存问题。早期一般由电池为ＲＡＭ供电，但由于环境及电池本 身的原因，这种方式常使数据丢失。目前，小容量数据存储多采用９３系列ＥＥＰＲＯＭ(如９３Ｃ４６)或２４系列ＥＥＰＲ ＯＭ(如２４Ｃ４５)。但如果要求存储的数据量很大　这些芯片的存储能力就不能胜任。为此，本文介绍一种大容量的闪烁存 储器芯片ＡＴ４５Ｄ０８１，并给出其在税控加油机中的应用。 １ ＡＴ４５Ｄ０８１简介 １．１ ＡＴ４５Ｄ０８１的特点 ＡＴ４５Ｄ０８１Ａ是ＡＴＭＥＬ公司生产的闪烁存储器。它采用串行方 式传送数据, 符合ＩＳＯ７８１６标准，时钟频率可高达１５ＭＨｚ, 并采用 单５Ｖ电源供电。同时具有功耗低、体积小、容量大、传送快速, 与ＣＭＯＳ 和ＴＴＬ电平兼容以及掉电后数据不丢失等特点。 由于读写时序与ＳＰＩ模式 ０与模式３兼容, 因此，其硬件设计与软件编程都很容易。 １．２ 内部结构与引脚说明 ＡＴ４５Ｄ０８１内部由主存储器阵列、两个ＳＲＡＭ数据缓冲区ＢＵＦＦＥＲ１、ＢＵＦＦＥＲ２以及Ｉ／０接口组成。 其中主存储器阵列容量为８Ｍ Ｂｉｔｓ,由４０９６页组成，每页２６４字节，为编程方便又把连续的８页定义为一块。每个 ＳＲＡＭ数据缓冲区大小为２６４字节。 这两个缓冲区可在主存储器阵列访问某一缓冲区或某缓冲区访问主存储器阵列时,另 外一个缓冲区能同时与外部交换数据。主存储器与缓冲区的相互访问是在芯片内部自动完成的,且不需要外部的干涉，这样就大 大提高了外部访问的效率。但外部可以通过读取芯片提供的只读状态存储器的内容知道芯片容量及工作状态信息(可用就绪／忙 标志指示缓冲区是否与指定的主存储器阵列页内容一致)。 ＡＴ４５Ｄ０８１的主要引脚功能见表１所列。当ＡＴ４５Ｄ０８１的ＣＳ由高变低时,芯片启动一次操作,而当ＣＳ由低 变高时,终止操作。这时ＳＩ上的任何数据都被忽略,ＳＯ处于高阻态。 当ＷＰ为低时,主存储器的前２５６页不能被访问。如 果要访问前２５６页,则必须使ＷＰ为高。ＷＰ已被芯片内部拉高,如果要对前２５６页编程,那么，ＷＰ应在外部置高电平。 １．３ 操作指令及读写时序 外部访问主存储器阵列和缓冲区及状态寄存器是通过输入命令来实现的。ＡＴ４５Ｄ０８１共提供了２６条命令　这些命 令按功能可分为读主存储器阵列页、主存储器阵列页内容传送到缓冲区、缓冲区内容传送到主存储阵列页、页擦除、块擦除、 外部通过缓冲区对主存储器页写入、自动页重写　缓冲区读写　状态寄存器读等。所有的命令都遵循下面的格式　首先是８位 命令码　然后是２４位地址码　有的命令后面还要输入无关码。输入时高位在前　低位在后。输入模式与ＳＰＩ模式０与模式 ３兼容。表２所列是连续读主存储阵列、读状态寄存器和写缓冲区命令格式。表中：ｒ代表该位为保留位,ｐ表示该位为页地址 位,ｂ表示该位为页内字节地址位,ｘ表示该位可以为０也可以为１,Ｎ／Ａ表示输入数据流中没有这些位，由表２可知:２４位 地址可分为５位保留位, ７位块地址,１０位页地址和９位页内字节地址。对于主寄存器阵列，页内字节的访问,如连续读主寄 存器阵列,必须指定页及页内地址作为访问的首地址。同时还需注意,该命令２４位地址后还有３２位无关位输入。而对于缓冲 区的访问　因缓冲区的大小为２６４字节,因此指定９位地址就可以了。此外，在块的擦除方面，由于是整块操作,所以，只需 指定７位块地址而无需指定其它地址。 图２所示是连续读主寄存器阵列的时序。从时序图可看出,当ＣＳ为高电平时，ＳＩ输入的位流无效,此时，ＳＯ处于高阻 态。当ＣＳ由高到低时，片选有效,此时将启动操作命令，在时钟ＳＣＫ的上升沿把ＳＩ上已备好的数据串行送入芯片(高位在 前)。对于连续读主存储器阵列命令，其输入命令格式位流为： ｒｒｒｒｒｐｐｐ ｐｐｐｐｐｐｐｂ