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第一章 半导体物理基础 1.1 半导体的形成与能带 1.2 本征半导体 1.3 杂质半导体  1.4 半导体的导电性 1.5 非平衡载流子 1.4 半导体的导电性 一、费米能级和载流子浓度 1. 费米能级(E)的提出：费米分布函数 f(E) F 1 (1) 电子占据能量为E能级的几率 f (E ) E E F 1e kT E E F kT (2) 空穴占据能量为E能级的几率1 ( ) e f E E E F 1e kT (玻尔兹曼分布只适用于低掺杂的半导体n1017 -3 cm ) 从费米分布函数如何判断电子和空穴在导带和价带中的位置？ 1.4 半导体的导电性 2. 费米能级(E)的意义： F (1)电子统计规律的一个基本概念。 (2)不是电子的真实能级,只是表述电子填充能带的水平。 (3)是电子基本填充满和基本为空能级的分界线（0K）。 3.费米能级的位置： (1)本征半导体：位于禁带的中央位置。 (2)P型半导体：略低于Ei，随p的增大而减小。 (3)N型半导体：略高于Ei，随n的增大而增大。 (随着温度T的增大，无论何种类型，费米能级均接近Ei) 1.4 半导体的导电性 3. 平衡载流子浓度： (1)热平衡状态：每秒钟复合的电子－空穴对与每秒钟 产生的电子－空穴对数相等，电子和空穴数达到稳 定值。 (n ，p 分别代表平衡状态的载流子浓度) 0 0 (2)多数载流子(多子)和少数载流子(少子)： P型半导体：电子为少子，空穴为多子。 N型半导体：电子为多子，空穴为少子。 (3)定义：单位体积内半导体中载流子个数的总和。 (4)计算公式：n 2 17 3 p =n (适用于低掺杂半导体≤10 /cm ) 0 0 i P型半导体：p ＝N 0 A 室温下半导体中的杂质完全电离 N型半导体：n ＝N 0 D