CZT的定向切割与研抛.pptVIP

碲锌镉晶体的定向切割与 研抛 目录 碲锌镉的晶体结构 CZT的用途 晶锭到晶片 CZT晶片的加工现状 CZT作为探测器的机械加工标准 为何要进行晶体定向 晶体定向的原则 晶体定向方法 X射线的产生 实验室中X射线由X射线管产生，X射线管是具有阴极和阳极的真空管，阴极用钨丝制成，通电后可发射热电子，阳极（就称靶极）用高熔点金属制成（一般用钨，用于晶体结构分析的X射线管还可用铁、铜、镍等材料）。用几万伏至几十万伏的高压加速电子，电子束轰击靶极，X射线从靶极发出。 X射线的反射定律 布拉格定律 nλ = 2dsinθ?? λ: 波长 d : 晶间距 θ: 光子入射角??? 利用X射线单晶定向仪来定向 首先将待测晶体放到定向仪的载物台上，使计数管固定在所待测晶体（hkl）面的2θ位置上，使手摇转轴固定在上述柱面的θ角位置上，然后将晶体沿轴向360°范围内徐徐转动，此时常能找到强度不等的反射信号。若360°内转动，上述2θ角位置均未发现反射信号，则可适当调整θ角；若发现反射信号，但强度很弱也可适当微调θ角，（2θ严格不动）一直调到最强为止。 CZT的(211)面 硒化镉晶体定向切割方法 根据硒化镉(CdSe)晶体结构的特点,发展了一种简便、快捷、准确的定向方法。此法只需观察CdSe晶体解理面上台阶的走向，便可确定CdSe晶体的C轴方向，即解理面上台阶延伸的方向为CdSe晶体的C轴方向，并采用X射线衍射法对结果进行了验证。已知C轴和某一晶面，借助激光正反射技术，可在CdSe单晶体上定向切割出任意所需的晶面。 晶体的切割 将待切割的晶体放到烤箱中加热，然后将在干燥箱中加热软化的石蜡粘结物均匀的涂在晶体上，将晶锭粘结在用石墨做成的有半圆形凹槽的长方体上，用线切割机以进刀速度0.2mm/min对晶锭进行切割，每片的厚度选为1.7mm。切割完成后整体侵入丙酮数分钟以去除粘结物，用高纯酒精清洗晶片，凉干，然后装入编号的专用晶元盒中，以备后用。 晶片的研磨与抛光 切割后的晶片表面有较深的机械刀痕，若要对晶片进行准确的光学性能测试，必须对晶片进行抛光。实验中分粗磨、细抛、化学抛光三个步骤对已切割的晶片进行正反两面的加工，以获得厚度均一，表面平整、光洁的晶片。 机械研磨 用粒度为10μm的金刚石粉料配制一定浓度的悬浊液，用此悬浊液作为晶片机械研磨液，研磨设备用沈阳科晶公司生产的1502型磨片机。研磨之前，先用细砂纸对晶片进行倒角，用石蜡把倒角后的晶片粘在研磨压块上。倒角有两个目的，一是为防止晶片与研磨压块粘接不牢，二是防止晶片在研磨过程中掉渣。磨片机磨盘的转速为80rpm，研磨时间为2个小时。磨去切割时产生的刀痕和机械损伤。粗磨后的晶片表面比较光整，刀痕损伤完全去除，但在光学显微镜下可以观察到金刚石磨料引起的细划痕。 机械抛光 用粒度为0.5μm的金刚石抛光膏作为抛光料，将其涂于裹有抛光绒布的抛光机上，研磨设备用沈阳科晶公司生长的UNIPOL-1502型抛光机。抛光机磨盘转速为65~70rpm，研磨后的晶片在抛光绒布上抛光1小时。晶片抛光后，表面光亮平整，由粗磨引起的细划痕已基本去除，但表面仍有少量微痕。 化学抛光 经机械抛光以后的晶片，在光学显微镜下仍可观察到由机械损伤引起的微划痕。用2%的Br2-MeOH溶液对晶片进行化学抛光5min，然后再用去离子水清洗三次，每次3min。为防止晶片表面氧化，在氮气氛下吹干晶片。化学抛光后的晶片在显微镜下观察不到微细划痕，机械损伤层已完全除去。 研磨参数 磨料种类的影响 选用三种磨料，分别为金刚石、碳化硅和氧化铝 磨料粒度的影响 选择三种磨粒粒度，分别为W10、W5、W2.5 研磨压力的影响  主轴转数的影响 最终研磨参数的选择 在选择磨料的种类时，要选择磨粒均匀，且硬度较小的磨粒即选择氧化铝加工碲锌镉晶体时效果较好;磨粒的粒度过大，虽然有较高的去除率，但对表面造成的损伤太大，容易造成崩边问题，不利于后序的加工，选择磨粒在W2.5比较适合;当研磨压力在11Kpa左右时，即可得到较高的去除率，加工后表面粗糙度也能为后序加工做好准备。主轴转数过高，研磨液在离心力的作用下被甩出，造成研磨液的浪费，而当主轴转数低时，配重块运行不平稳，试验结果表明，当主轴转数在60一80rpm时比较合适;研磨液的浓度和研磨液的流量对表面粗糙度和材料去除率的影响不大，当研磨液的配比为100g磨粒:l000ml去离子水时的浓度时最佳。 在研究研磨压力时很多人用Preston方程进行研究。其材料去 除率与研磨时的压力P成正比，与研磨速度V成正比。 MRR =KPV 其中MRR为材料去除率，K为