半导体实验思考题.docVIP

西安理工大学半导体物理思考题 第一上传是因为这个我帮女友完成的第一个项目，第二我知道学弟学妹们需要 实验一 1.腐蚀时间过长或过短反射光圈会出现什么情况？ 时间过长，光圈变大变亮。 2.解理法得到的特征光图中反射光斑对应什么晶面,（111）,（110）,（100）晶面的三个特征光图之间的相互方位如何？ 解理法 将待测晶锭的一端先磨成锥形，在盛有 80＃金刚沙的研钵中研磨，使锥形对面上解理出微小的解理面。这些解理面都是按特定的晶向解理出来，因而包含着结晶学构造中 的各种方向特征。在图1.3 所示的单晶硅一类的金刚石结构中，其一级理解面为{111}，这使因为此晶面族之间原子间距最大，键合最小， 最容易在外力作用下发生解理。从图 1.3 可以看出，[110]是一跟二次轴，其周围有两个对称的理解面（111）和（111）,如果 [110]晶轴与激光束平行，则从（111）、(!! 1)解理面上反射得到的特征光图呈二次轴对称。而[100]是一根四次轴，其周围有四个解理面，（111）、（111）、（11 1），因而特征光图具有四次轴对称性。由于研磨不能保证全部得到由理想的解理面组成的由规则小坑，而往往是杂乱无章的，因此反射出来的特征光图就显的比较暗淡，降低了定向精度。 在硅单晶定向中主要采用腐蚀法。两种不同的预处理工艺所产生的特征光图的区别是：（1）由于小坑内暴露出来的晶面不同，反射