基于二氧化碳溶液体系清除硅片表面纳米级金属颗粒的微观模型研究.pdfVIP

基于二氧化碳溶液体系清除硅片表面纳米级 金属颗粒的微观模型研究 张小岗谭欣柴家珏张建超尚文婷 (中国人民大学化学系，北京，100872) 摘要：本文建立了硅片～}：纳米金属颗粒的静态力模型，分析了范德华力、库仑力、接触作用 势、重力、浮力、表面张力、毛细管作用力等对会属颗粒的影响，计算了在不同条件下(温 度、压力、颗粒大小、浸没高度和共溶剂或表面活性剂)金属铜颗粒与硅基底的甲衡分离距 离和粘附作用力。计算结果表明，增力|I体系的压力，可以显著增人平衡分离距离，减小粘附 力，有利于颗粒的清除。 关键词：超临界二氧化碳，金属颗粒，硅片，清除，静态力模型 1． 引言 随着微电子集成电路微型化和结构复杂程度的提高，由于溶液介质表面张力 的作用，制造工艺中光刻保护剂薄膜的涂敷、微纳尺寸的显影、光刻保护剂的剥 离、微纳结构的清洗和干燥以及金属薄膜的沉积等将可能成为过程快速处理的瓶 颈。另外，对有毒化学品的排放以及水和溶剂的消耗的要求日益严格，微电子工 业迫切需要在主要生产工序中减少甚至消除化学品和水的使用。超临界二氧化碳 (SCC02)溶液体系用于微电子生产过程不失为一种有益的尝试。 很多研究小组已经报道过二氧化碳清洗半导体器件的实验设计与成功应用 [i-5]。然而，二氧化碳清洗过程中残留颗粒、清洗溶剂以及硅片基底之间的微观相 互作用却鲜有研究。本工作着重分析了静态作用力(范德华力、库仑力、接触作 用势、重力、浮力、表面张力、毛细管作用力等)对金属颗粒的影响，计算了在 不同条件下(温度、压力、颗粒大小、浸没1岛度和共溶剂或表面活性剂)金属铜 颗粒与硅基底的平衡分离距离和粘附作用力。以平衡分离距离和粘附作用力为清 除难易的指标，系统考察了在不同体系下各种作用力对清除颗粒的控制行为，模 拟结果可对实验现象进行合理的解释。 2． 模型描述 在半导体器件的清洗过程中，残留的颗粒通常在芯片上微孔道里，因此，在清 洗溶剂流体的拖曳剪切作用之前，颗粒必须先被托离底面。在这些微孔道里，溶 剂流速接近零，所以可以近似将微孔道里颗粒与基底之间的相互作用看作一个静 态力体系。当向C02体系中加入极性或非极性的有机溶剂，一部分溶剂会流到颗 粒与颗粒问，另一部分溶剂则会流到颗粒与基底之间把颗粒托起来。这部分颗粒 与基底之间的溶剂被称为嵌入液流。本模型将硅片表面的铜颗粒单独分离出来， 以颗粒与硅片基底以及嵌入液流和主体溶剂C02为研究对象，对铜颗粒进行受力 分析，利用mathematica软件编程，计算出一定温度、压力、浸没高度下不同颗粒 半径的平衡分离距离z以及对应的粘附作用力。体系中颗粒所受到的力可以归纳 为两部分：吸附力和提升力，当这两个力达到，卜衡时(吸附力=提升力)，颗粒即 可以稳定地被托浮在基底上的平衡分离距离处。吸附力包括：范德华力(F，d。)、 Force， Fg)。提升力主要指毛细效应力(F。∞)和浮力(Fr)。 2．1范德华力 由于嵌入液流的存在，铜颗粒与硅表面之间的范德华力比没有嵌入液流的时候 减小了。我们对Chen和Anandarajah唧】导出了的范德华力表达式进行推导并进行 了无因次化的处理，得到如下表达： ‰=Am[f(z)+R(z)】 (1) ’ 肫卜而万毓 ln出+ ㈣ 最(z)：一丝善型(z+c+2，P)z ．3c’ C ln坐一 塾掣(z+c)z 5c。 C l掣冉鼍掣z+竽+卦纠掣∽2∥+ 等cⅢ坩竽+孙竿一等产一虿8re一面4(z+丽re)re 上述三个方程中，鼻(z)代表了没有嵌入液流存在条件下的范德华力，最(z)代 表了嵌入液流对铜颗粒和硅基底之间的范德华力造成的阻滞效应(Retarded Effect)。方程(3)中c：兰兰，五是范德华作用力的特征波长，通常取100nm[60】， 将名代入，计算得到C等于49．363 am。，．。