半导体探测器..ppt

pin ，主要噪声来自检测器电路中的电阻和有源器件 APD，电路噪声不占重要地位，主要噪声来源于检测器被雪崩区放大了的量子噪声和体暗电流 信噪比 InGaAs光电二极管在波长为1300 nm时有如下参数：初级体暗电流ID = 4 nA，负载电阻RL = 1000 W，量子效率h=0.90，表面暗电流可以忽略，入射光功率为300 nW (-35 dBm)，接收机带宽为20 MHz，计算接收机的各种噪声。 计算初级光电流： 量子噪声均方电流： 例 光检测器均方暗电流： 负载均方热噪声电流为： 4.响应时间（或响应速度） 影响探测器的响应时间的因素： 耗尽层中光生载流子的渡越时间 耗尽层外载流子的扩散时间 RC时间常数 * 耗尽层中载流子的渡越时间为： W和vd分别为耗尽层厚度和载流子的漂移速度。 td在决定探测器的响应速度中起主导作用。例如光电二极管中，耗尽层厚10?m，电场强度约2?104V/cm时，电子和空穴的极限速度分别可达8.6?106cm/s和4.4?106cm/s。因此，响应时间的极限为0.1ns. 扩散过程比漂移过程慢许多。 为了获得高的量子效率，耗尽层的宽度必须比穿透深度（即吸收系数的倒数1/?）大得多，以便吸收大部分光线。 * 探测器的结电容和通带 结电容 A为结面积, W为耗尽层厚度。 W很薄时，会增大电容。结电容过大会产生大的时间常数。 因此，需寻求折衷的办法使td和RC时间常数尽量地小。 1. 为了获得较高的量子效率，耗尽区宽度w须远大于1/a， 以便可以吸收大部分的光 2. 同时如果w较大，会让二极管结电容C变小，于是RLC常数 变小，从而得到较快的响应 3. 但是过大的w会导致渡越时间的增大：td = w/vd 折衷取值范围： W1/? ，1/a 吸收区的厚度 2/a 通带（带宽）：探测器的通带同其总电阻、电容的关系为: 如果光电二极管的电容为3 PF，放大器电容为4 PF，负载电阻为1 K欧姆，放大器输入电阻为1欧姆，则CT = 7 PF，RT =1 K欧姆，所以电路带宽： 如果将负载电阻降为50欧姆，电路带宽增加为455 MHz。 RT是检测器电路电阻，CT是光电二极管结电容和放大器输入电容之和，则检测器可以近似为一个RC低通滤波器。 * 探测最小功率定义为探测通量阈值 * 雪崩倍增噪声 雪崩光电二极管中，雪崩过程中产生的噪声与倍增有关，其噪声可能是相当大的。 过剩噪声因子F是雪崩光电二极管中实际的噪声同所有载流子在其倍增恰好是M时的噪声的比值： m为统计上变化的倍增系数. x依赖于APD的材料和结构,大小在0-1之间。 Si APD中，x=0.5。Ge APD中，x=0.85-1。 实验结果修正公式 * 过剩噪声因子F F依赖于电子电离率和空穴电离率之比值?/?和载流子的倍增系数M。 电子、空穴的电离率之比 ?/? 越大将有助于减小F。 在制作雪崩光电二极管时，Si 比其它材料优越。 * 倍增因子同温度的关系 载流子的电离率与温度有关，因而倍增因子十分依赖于温度。实验得出如下经验公式： VB为击穿电压。V=Va-IMRM，Va为外加的反偏压，IM为光电流，RM为总串联电阻，它为器件体电阻同负载电阻之和。n在2.5-7之间。a、b为正的常数，可由实验测定。 温度降低,电离速度变快,APD增益会增加.为保证温度变化时增益不变,需要增加一个补偿电路,根据温度变化调整偏置电压. * 习 题 试述PIN和APD的工作原理，它们的工作原理、结构的共同之点和差别是什么？ 电子和空穴的离化率之比对APD性能有什么影响？ 为什么光电二极管选择强反偏的工作模式? 为什么耗尽层的宽度需要折中考虑？ 为什么APD探测微弱信号的能力比PIN探测器强？ 6.入射光探测器上的光功率为P0，则探测器中电子-空穴的产生率为： 式中?为单位面积中入射光子的通量，A 为受光面积，由此证明厚度为W的耗尽层中的光电流为： 7. G=20的APD, 对波长为1.55?m的响应度R=12A/W，求量子效率?。若光子通量?=1010光子/秒，求器件的输出光电流。 光探测器响应（光子通量，光功率） * 光在器件表面即被吸收，大量的载流子在耗尽层的边缘产生(此处电场也不强)，极易发生复合，不易被电极收集成为光生电流 * * * 光生电流正比于光场模值平方，即平方检波。所以，光电探测器无法直接接收相位调制信号。 * * * * * 3 入射波长小的时候，产生的载流子都集中在PD表面，寿命过短，还来不及被收集成为光生电流就发生复合 * * 在没有遭遇接收机电