材料电性能..ppt

主要内容 电导的物理现象 电子类载流子导电 离子类载流子导电 半导体的电学性能 材料的超导性 电导功能材料 电性能测量及其应用 欧姆定律 I = V / R 电阻 R = ? L / S R ：与材料性质和尺寸有关 电阻率 ? = R S / L ? ：与材料性质有关、与尺寸无关 电导率 ? = 1 / ? ? ： S/m（西门子每米）、S/cm 2. 晶体结构 熔点高晶体：结合力大，活化能高，电导率低； 离子电荷高低对活化能有影响： 一价正离子，电荷少，活化能低，电导率高； 高价正离子，价键强，活化能高，电导率低； 结构紧密离子晶体：可供离子移动的间隙小，间隙离子迁移困难，即活化能高，电导率低； 3. 晶格缺陷 热激励、不等价固溶掺杂、气氛变化等 —— 晶格缺陷 离子性晶格缺陷的生成及浓度是决定离子电导的关键。 四、快离子导体 固体电解质：具有离子导电的固体物质 。 快离子导体（FIC = fast ionic conductor ）： 具有与熔融强电解质或强电解质水溶液相比拟的离子电导率的固体电解质。 迁移离子 —— 阳离子或阳离子集团： H+、H3O+、NH4+、Li+、Na+、K+、Rb+、Cu+、Ag+、Ga+ 等， 迁移离子 —— 阴离子： O2-、F- 等。 五、快离子导体晶体结构及离子导电机理 离子迁移变成快离子导体一般具有下列条件： 1．固体结构中存在大量晶格缺陷 2．迁移离子附近应存在可能被占据的空位，空位数目应较迁移离子本身数目为多，迁移离子具有在其空位上统计分布的结构。 3．固体有层状或网状结构 应存在提供离子迁移所需通道。在单晶或多晶体中，离子迁移有特殊通道。 通道类型可分为 一维传导； 二维传导； 三维传导： 离子导电机理：根据一种模型假设来讨论 该模型认为：快离子导体晶体结构一般由两种晶格组成， 一种由不运动骨架离子构成刚性晶格，为迁移离子运动提供通道； 另一种由迁移离子构成亚晶格。 在迁移离子亚晶格中，缺陷浓度可高达 1023/cm3，迁移离子亚晶格具有液体结构特征。这种无序状态使所有离子都能迁移，增加载流子浓度。 注：上述模型假设不能对已发现快离子导体传导过程进行圆满解释，还需进一步地深入研究。 六、典型离子导电陶瓷 氧离子导体：以氧离子（O2-）为主要载流子的快离子导体 分类：荧石型氧离子导体、 钙钛矿型氧离子导体 1. 荧石型氧离子导体 纯 ZrO2：有 3 种同素异形体结构 m - ZrO2 → t - ZrO2 → c - ZrO2 m 相 t 相 c 相 结构：单斜结构 四方结构 立方结构 （具有荧石结构） 密度：5.65g/cm3 6.10g/cm3 6.27g/cm3 注： 单斜结构 a ≠ b ≠ c，α = γ = 900，β ≠ 900； 四方结构 a = b ≠ c，α = β = γ = 900； C - ZrO2 中： 阳离子（Zr2+）→ FCC 阴离子（O2-）→ 位于 Zr 四面体间隙（ 8个）中心位置，自身构成简单立方。 c - ZrO2 → t - ZrO2，c 轴拉长（ a = b c ） t - ZrO2 → m - ZrO2 ，无扩散型相变，具有典型 M 相变特征，伴随约 7% 体积膨胀，常导致烧结件开裂，难以得到致密陶瓷。 为消除体积变化的破坏作用，通常在 ZrO2 中加入适量立方晶型氧化物（ 2 价或 3 价），其中金属离子与 Zr4+ 相差不大，如 MgO、Y2O3、CaO 等，在高温烧结时与 ZrO2 形成立方固溶体，消除单斜相与四方相转变。 这种 ZrO2 陶瓷 —— 稳定化 ZrO2，用 FSZ 表示。 注： FSZ = Fully stabilized zirconia PSZ = Partly stabilized zirconia 纯 ZrO2：无离子导电性 当 ZrO2 中加入少量 2 价或 3 价氧化物，如 CaO、Y2O3 时，形成不再有相变的立方 ZrO2 固溶体。