半导体材料的定义与物理基础(ppt 87页).pptVIP

* N型半导体 P型半导体 WmWs 阻挡层 反阻挡层 WmWs 反阻挡层 阻挡层 * 欧姆接触 定义：不产生明显的附加阻抗，不会使半导体内部的载流子浓度发生明显的改变。 技术路线设计：找到合适的金属在半导体一侧形成反阻挡层 很多时候并找不到合适的金属形成阻挡层，关键在于缩小金属半导体之间的势垒 1.本身的低势垒，如p型硅相对于金，铂 2.本身形成不了低势垒，创造低势垒，如在半导体表面引入复合中心，使得其反向和正向复合电流很大，破坏肖特基势垒的单向导电性 3.通过在半导体表面掺入高浓度的施主和受主杂质，导致金属-半导体接触的势垒区很薄，以致电子不通过势垒而通过钻穿效应产生隧道电流，最终形成欧姆接触。 * 半导体材料的光吸收 吸收系数 直接跃迁和间接跃迁 以上两者的关联（能带间隙的计算） * 吸收系数 光在介质中传播时，一部分入射光线在物体表面反射或散射，一部分被物体吸收，另一部分可能透过物体。 光在介质中传播时，光的强度随传播距离(穿透深度)而衰减的现象称为光的吸收。 光经过一定介质后的出射光强为：I=I0e-ax I0表示入射光强，x表示光束垂直通过介质层的厚度，a为一正常数，称为介质对该单色光的吸收系数。 介质的吸收系数a的量纲是长度的倒数，单位是cm-1. 吸收系数a的倒数(1/a)的物理意义是因介质的吸收使得光强衰减到原来1/e≈36.8％时，光所通过的介质厚度。 *