Zn0．96Mn0．04O薄膜的制备及结构、磁性分析.pdfVIP

维普资讯 第32卷 ／第 4期 ／ 河北师范大学学报 ／自然科学版 ／ Vo1．32No．4 2008年 7月 JOURNALOFHEBElNORMALUNIVERSITY／NaturalScienceEdition／ Ju1．2008 Zn096M n0 ． ． 04O薄膜的制备及结构、磁性分析 刘清华 ， 曲 蛟 ， 史彬茹。， 刘永利 (1．邢台学院 物理系，河北 邢台 054001；2．河北建筑工程学院 数理系，河北 张家 口 075024； 3．河北交通职业技术学院，河北 石家庄 050091) 摘 要 ：采用射频溅射法制备 了Zno96Mno0O薄膜样 品，并对样 品进行 了结构和性能的检测 ，其 中使用 的靶 材是通过标准固态反应法制备的．经过 X射线衍射分析 ，样 品均未被发现任何杂质相 ，都表现为纤锌矿结构 ．磁性 测量表明，薄膜样 品在室温下表现 出较强的铁磁性，每个 Mn离子 的饱和磁化强度为 1．05 B，矫顽力为0．01T，居 里温度高于400K．分析表明，薄膜样品所检测到的铁磁性不是杂质相的贡献 ，而是 MnZnO的内禀性质 ，并且生长 环境及．缺陷对样品的铁磁性产生 了很大的影响． 关键词 ：Zno96Mno． 04O薄膜 ；射频溅射法；磁性 中图分类号 ：O484 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000—5854(2008)04．0474．04 上个世纪，以载流子电荷的运用为基础的半导体工业在人类历史上掀起了第三次技术革命 ，极大地推动 了社会的进步．然而，在半导体技术 中，由于以非磁性的硅和砷化镓为基础的半导体器件广泛使用，半导体中 载流子 自旋并不扮演重要角色 ． 2000年 ，Ohno等…基于平均场理论预言，在 ZnO和 GaN 中进行 P型掺杂可能出现高温铁磁性 ，Sato 等 ．3J也通过基于双交换机理的密度泛函计算指出，在 ZnO中掺人 Mn，Fe，Co，Ni等3d过渡金属离子将显 示出铁磁有序．这些研究成果在稀磁半导体中掀起 了一股新的研究热潮．理论上 的预测表 明只有 P型的 MnZnO材料可以具有铁磁性 ，然而实验上 已经有关于 型或绝缘体 MnZnO材料具有铁磁性 的报道 ．例如 ： Jung等HJ采用激光分子束外延的方法在蓝宝石基底上制备了绝缘体 Zn。一MnO(=0．30)的薄膜 ，经过检 测该薄膜具有铁磁性 ，居里温度大约为45K；Heo等 J采用脉冲激光沉积法制备 了在蓝宝石基底上沉积 的 873K下退火的 型薄膜具有室温铁磁性；Norton等 采用离子注入法制备 了(Mn，Sn)ZnO薄膜材料 ，经 过检测样品的居里温度超过 250K；Fucumura的小组 7J报道 ，Mn掺杂 ZnO的薄膜表现 出自旋玻璃态行为 ， 样品中存在很强的反铁磁交换耦合作用 ．Parmanand等 J报道在均匀的低掺杂 Zn。一MnO(主0．04)样品 中得到了 T425K的铁磁有序 ，在出现了Mn团簇的样品中，铁磁性被抑制甚至消失 ． 尽管实验上已经制备出具有铁磁性的 型MnZnO材料 ，然而先前报道的Mn离子的饱和磁矩远远低 于理论值，并且居里温度也很低 ，难 以达到室温 ，这就限制 了这类稀磁半导体材料的实际应用 ；并且关于铁磁 性的存在与否，以及铁磁性的起源，都存在着很大的矛盾 ．因此 ，本文中，笔者通过制备 Zno．96Mno．0O薄膜样 品，并在不同条件下对样品进行了处理 ，研究了样品的结构和磁学性能，分析 了铁磁性的起源． 1 实验部分 利用标准固态反应法制备 Zno．96Mno．04O粉末样品，薄膜样品制备采用 OTMS560型超高真空对靶磁控 溅射镀膜设备．所用靶材是将上述采用标准固态反应法制备的粉末样品在 100t的压力下保持 10min，得到 直径为 55mm，厚度大约4mm 的圆片，然后在高温电炉中，在 1273K下烧结 12h，自然冷却 24h，制备得到 溅射所用到的靶材 ．溅射衬底为玻璃 ，本底气压为3×10 Pa，工作气体为氩气 ，流量为20mL／min，压强