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电子科技 2006 年第 3 期(总第 198 期)
3-D MCM封装技术及其应用
王玉菡,曹全喜
(西安电子科技大学技术物理学院,陕西 西安 710071 )
摘 要 介绍了超大规模集成电路(VLSI)用的 3-D MCM 封装技术的最新发展,重点介绍了 3-DMCM 封装垂
直互连工艺,分析了 3-D MCM封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题,并对
3-D MCM封装的应用作了简要说明。
关键词 3-D MCM技术;封装;垂直互连;热处理;互连密度
中图分类号 TN47
3-D MCM Packaging Technology and its Applications
Wang Yuhan, Cao Quanxi
(School of Technical Physics, Xidian Univ., Xi′ an 710071, China)
Abstract This paper deals mainly with the recent development of 3-D MCM packing technology in VLSI with
emphasis on 3-D MCM packing vertical interconnect technology. It also analyzes silicon efficiency, complexity, thermal
management, speed, interlinkage density and powercon-sumption etc. Finally it briefly introduces the applications of 3-D
MCM packing.
Keywords 3-D MCM technological; packe; vertical interconnect; thermal management; interlinkage density
1 引 言 垂直互连工艺。垂直互连是指设计三维模块中
的电源、接地及层间信号时所需的互连。下面主要
近年来,计算机、通讯、汽车电子、航空航天
介绍几种不同类型的垂直互连。
工业和其他消费类系统对微电子封装提出了更高
2.1 叠层 IC间的外围互连
的要求,即更小、更薄、更轻、高可靠、多功能、
叠层互连工艺包括叠架带载、焊接边缘导带、
低功耗和低成本。这促使微电子封装得到了爆炸性
立方体表面上的薄膜导带、互连基板与腔体外部、
的发展。在 2-D MCM 组装密度已经达到理论最大
折叠式柔性电路和丝焊叠层芯片的连接等。
值的情况下,更高密度的 3-D MCM 封装技术自然
叠架带载是用载带自动键合(TAB )实现 IC
地涌现出来。
互连的一种方法。这种方法可进一步分成 PCB 上的
2 3-D MCM 封装技术 叠层 TAB 和引线框架上的 TAB 。第一种方法被松
下公司用来设计高密度存储卡,第二种方法被富士
3-D MCM 封装技术是采用将裸芯片或多芯片
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