实验2霍尔效应-苏州大学新能源材料与器件实验教学中心.pdfVIP

实验2 霍尔效应 实验背景 置于磁场中的载流体（又称作载流子，即指半导体样品中的电子或空穴）， 如果施加在载流体上的电流方向与磁场方向垂直，则在垂直于电流和磁场的方向 会产生一个附加的横向电场。这个现象是美国霍普金斯大学二年级研究生霍尔在 研究导线在电磁场作用下的运动时发现的，后被称为霍尔效应。利用该效应可以 VH d 8 测定半导体材料的霍尔系数RH  10 ，判断材料的导电类型、载流子浓度、 I b S 载流子迁移率等主要参数。1980 年德国物理学家冯·克利青在强磁场极低温度的 条件下发现了量子霍尔效应，为此获得了 1985 年的诺贝尔物理学奖；美籍华裔 物理学家崔崎和施特默在更高的磁场条件下发现了分数量子霍尔效应，为此获得 1998 年诺贝尔物理学奖。 实验目的 1、了解霍尔效应实验原理及有关霍尔元件对材料要求的知识； 2 、学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量并绘制样品的V