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* 另外一些半导体氧化物在空气中受热时，会获得氧，阳离子氧化数升高。例如， 一个O2分子，要使4个Ni2+变成Ni3+，同时在晶格中增加2个O2-，造成晶格中正离子的缺位，称作正空穴。依靠正空穴传递而导电的半导体，称为p型半导体。(Positive Semiconductor) * 空气中加热的效应 类别 示 例 失去氧 n型 ZnO、Fe2O3、TiO2、CdO、V2O5、CrO3、CuO 获得氧 p型 NiO、CoO、Cu2O、PbO、Cr2O3 表 金属氧化物半导体的分类 * 1. 半导体氧化物吸附O2等氧化性气体时， 对p型半导体氧化物，电子从氧化物表面传递到吸附质O2上，金属离子的氧化物数升高。如NiO，且表面形成氧离子覆盖层 对n型半导体氧化物，只有表面组成不满足计量关系(缺少O2-)才会有较小程度的吸附，以补偿O2-空位，并将阳离子再氧化以满足化学计量关系；表面组成恰好满足化学计量关系时，不发生吸附 2. 半导体氧化物吸附H2、CO等还原性气体时， 对于p、n型都一样，电子从吸附质向氧化物表面传递，导致金属离子还原成原子或低价阳离子；吸附很强，且多为不可逆性的 * 3.5.2 绝缘体氧化物上的化学吸附 绝缘体氧化物都属于化学计量关系的氧化物，如MgO、SiO2、Al2O3等 绝缘体氧化物的特点： 阳离子既不能被氧化，也不能被还原，不能用氧化物的氧化还原性来解释其化学吸附性能； 自身的酸碱度差别很大，能进行“酸碱吸附”； 如： 吸附CO2， 吸附NH3 能与水及其它极性分子反应，如： -- 基于以上性能特点，绝缘体氧化物可作为负载型催化剂的载体，或自身作为酸碱型催化剂 * 3.5.3 氧化物表面积的测定 单一组分：BET方程法测总表面积 多组分中的某一组分：利用选择性吸附的方法测定 [例] Cr2O3/Al2O3催化剂中Cr2O3组分表面积的测定，可采用氮氧化物作为Cr2O3的选择性吸附质进行实验： 先进行无Cr2O3时Al2O3对N2O化学吸附空白试验； 再测定Cr2O3/Al2O3的化学吸附数据； 将不同温度下的吸附等温线作图，找到交点，即N2O在Cr2O3表面上形成单分子覆盖的吸附量； 再乘以每个N2O吸附分子的截面因子0.159nm2，即可得出Cr2O3的表面积 * §3.6 分子表面化学（选读） 固体表面的状况可通过可通过扫描隧道显微镜(STM)和原子力显微镜进行观测; 表面吸附现象可用多种技术手段进行表征：如：红外光谱(IR)、电子光谱、光电子能谱(XPS)、固态核磁共振(MAS NMR)、质谱(MS)及低能电子衍射技术等 * [课后作业2] 请简述多相催化反应的步骤。 物理吸附与化学吸附是催化作用发生的基础。请比较物理吸附和化学吸附的特点？物理吸附发生时化学吸附一定会发生吗？化学吸附的条件有哪些，请列举出加氢反应产物的吸附比反应物的吸附弱，请指出依据何在。 来？ 请综述Langmuir吸附模型。 Langmuir吸附模型为什么覆盖率与空位率之和等于1？ 常见金属晶格类型：体心立方晶格、面心立方晶格、密排六方晶格 * 在实际金属晶体中，存在原子不规则排列的局部区域，这些区域称为晶体缺陷。按陷的几何形态，晶体缺陷分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三种。 * 红色小球 表示反应物，绿色小球 表示产物。 * [吸附作用的结果]：使反应物分子得到活化，降低了反应的活化能，而使反应速率加快。 * 表面反应的成功进行，要求化学吸附不能太强，也不能太弱。太强则不利于它们在催化剂表面上的迁移、接触；太弱则会在进行表面反应之前脱附流失。 * 为了定量地表达固体催化剂（也是吸附剂）对气态反应物（吸附质）的吸附能力，需要研究吸附速率和吸附平衡及其影响因素。除吸附剂和吸附质的本性外，最重要的影响因素是温度和压力。达到平衡时的气体吸附量称为平衡吸附量，它是吸附物系（吸附剂和吸附质）的性质、温度和压力的函数。 吸附等温线的测定和吸附等温式的建立，以定量的形式提供了气体的吸附量和吸附强度；为多相催化反应动力学的表达式提供基础；也为固体表面积的测定提供了有效的方法。 * 纵坐标是吸附量，横坐标是比压p/ps，p是吸附质蒸汽的平衡压力， ps是吸附温度时吸附质的饱和蒸汽压。 通常将比压控制在0.3以下，防止毛细凝聚而使结果偏高。 从吸附等温线可以反映出吸附剂的表面性质、孔分布以及吸附剂与吸附质之间的相互作用等有关信息。 保持温度不变，显示吸附量与比压之间的关系曲线称为吸附等温线。 * 用实验数据，以p/V~p作图得一直线，从斜率和截距求出吸附系数K 和铺满单分子层的气体体积Vm。 * 当压力较低时，