半导体 第十八讲 集成电路物理器件精品.pptVIP

器件缩小原理 为了增加IC内电子器件的密度，必须将器件的尺寸缩小，而缩小器件的基本要求是保持原来器件所拥有的特性。 最佳方法是利用一个比例因子K（1）来减小所有尺寸和电压，以保持长沟道的特性，如此所得到的内部电场将会与长沟道MOSFET器件的内部电场相同，其新的器件尺寸将为 器件其他参数也相应的必须发生改变： 器件缩小K倍，电流密度将增加K倍，为了避免导线产生迁移现象，设计时候，电流密度必须小于105A/cm2 纳米MOSFET器件中的载流子输运模型及其特征 半导体器件的特征尺寸一直按照摩尔定律缩小，每三年半导体芯片的集成度增长一倍。预测，一个芯片上可以集成万亿晶体管。 要求晶体管的尺寸进一步缩小到纳米量级。 迈恩德尔 新颖的MOSFET器件如图2-40 经典的半导体运输特征指出，载流子的输运特征可以用玻尔兹曼（BTE）来描述，但是求解困难。 为了方便求解，进而发展的 1、漂移扩散模型（DDM）（载流子的运动只与定域电场有关，适用于微米级别） 2、流体动力学模型（HDM） 3、玻尔兹曼模型（BTM） （微米以下级别适用） 载流子的输运特征的表征 纳米尺寸逐步缩小时，小尺寸的电导有很大起伏，这时候需要用到QTM（全量子输运模型）处理器的特征输运问题。 对于小尺寸MOSFET器件，为了防止源漏极穿透，沟道区内的掺杂浓度必须较高，结果增大了MOSFET器件的阀值电压，这就需要比较高的栅压。而MOSFET器件一般工作在强反型状态，形成势阱，电子限制内，在垂直于半导体表面的方向上形成一系列的量子化能级。 求解器件中的每个x点上的y方向的一维薛定谔方程得到： QTM 基本理论框架 可以通过一定的载流子输运模型，求得沟道方向上的电荷分布，最后给出器件中的电流以及载流子密度，各能带的分布等信息。 载流子模型 一般来说电子系统的分布函数满足玻尔兹曼方程： 求解很困难，需要简化模型。 1、漂移扩散模型 漂移扩散模型（DD），在微米级半导体器件模拟中，占主导地位 电流密度满足扩散方程： 在高电场情况下，由于漂移速度饱和，考伊等人给出了方程： 考虑到由于电场所导致的非稳定效应，公式2-92可以改进为： 结果证明：采用适用DD模型的2个公式，对于处理纳米尺寸的器件的模拟是很有效。 2、能量运输模型（ET） 电子电流方程为 3、弹道输运模型 器件几何尺寸远小于电子平均自由程时，电导主要取决于带结构和器件几何结构，这就是所谓的准弹道输运。 器件的尺寸越小型化，器件中载流子的输运俞接近弹道输运。在深亚微米以及纳米级的MOSFET器件中，载流子的输运就是准弹道输运。 （1） 经典弹道输运模型 （ 2）量子弹道输运模型 3、量子耗散输运模型 载流子从源极到漏极的输运过程中，经过很多次散射，这一模型把纳米级的MOSFET器件结构看做由源极、漏极以及二者之间分布的一系列散射点构成的。然后，他们与源极和漏极的不同在于他们只能改变载流子能量而不能改变系统中载流子的数目，所以称为能量耗散输运模型。 最终电流可以用公式表征为： 模拟结构与分析 从耗时上来看，DD模型和经典弹道模型耗时最少，ET模型次之，量子耗散模型耗时极大，量子弹道输运模型耗时居中。如表2-1 若要得到精确的结构，一般可采用量子弹道模型 纳米尺度MOSFET器件的DIBL效应，如图2-44所示 基于量子机制下的纳米MOSFET 器件模拟的理论框架，结合模拟计算可以更好的模拟纳米器件的性能。而经典弹道模型是量子弹道模型的一个较好的近似，处理在低栅压下二者有些偏差外其他区域都符合的很好，并且前者耗时大大短于后者，可以把经典弹道模型用于电路级别的模拟。 量子耗散模型是一个极耗时的模型，实用性不大！ 实际上，由于材料和器件的复杂结构以及半导体加工工艺的特殊性，要模拟出实际的特征曲线，还要求采用更精确的输运模型以及引入工艺的其他参数。 目前，业界上常用的工艺模拟软件有Synopays公司的Taurus-Tsu PREM4、Taurus-Process.器件模拟软件有Taurus-medici、Davinci和Taurus-Device 2.8 发展硅电子学集成电路的限制 硅半导体技术的性能和生产量都以指数形式增长，1960年到2000年，与二元开关有关的能量转换降低了5个数量级，同事每个芯片上集成的晶体管数量增加了9个数量级。 增长速度受到传统物理极限的限制而停止。主要有： 1、基础理论 2、材料 3、器件 4、电路 5、系统