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1 概述
1.1 研究背景及意义
AC/DC 电力变换装置是利用电力电子器件将交流电变换为直流电的装置,也称为整流装置。整流是电力电子技术中出现最早的一种,其形式多种多样,各具特色。整流技术经历了交流电机-直流电机系统、汞弧整流器、可控硅整流系统等发展过程。整流装置在这期间体积越来越小,效率越来载高。如今,AC/DC 电力变换技术广泛应用于各行各业,如冶金、化工、电源技术等。
AC/DC变换是将交流变换为直流,AC/DC转换器就是将交流电变为直流电的设备,其功率流向可以是双向的,功率流由电源流向负载的称为“整流”,功率流由负载返回电源的称为“有源逆变”。AC/DC变换器输入为50/60Hz的交流电,因必须经整流、滤波,因此体积相对较大的滤波电容器是必不可少的。一般认为,电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。电力电子技术的史前期或黎明期
1904年出现了电子管它能在真空中对电子流进行控制,并应用于通信和无线电,从而开启了电子技术用于电力领域的先河。20世纪30年代到50年代,水银整流器广泛用于电化学工业、电气铁道直流变电所以及轧钢用直流电动机的传动,甚至用于直流输电。
1947年,美国著名的贝尔实验室发明了晶闸管,引发了电子技术的一场革命。晶闸管由于其优越的电气性能和控制性能,使之很快就取代了水银整流器和旋转变流机组,并且其应用范围也迅速扩大。电力电子技术的概念和基础就是由于晶闸管及晶闸管变流技术的发展而确立的。晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件,属于半控型器件。对晶闸管电路的控制方式主要是相位控制方式,简称相控方式。晶闸管的关断通常依靠电网电压等外部条件来实现。这就使得晶闸管的应用受到了很大的局限。
70年代后期,以门极可关断晶闸管(GTO)、电力双极型晶体管(BJT)和电力场效应晶体管(Power-MOSFET)为代表的全控型器件迅速发展。全控型器件的特点是,通过对门极(基极、栅极)的控制既可使其开通又可使其关断。采用全控型器件的电路的主要控制方式为脉冲宽度调制(PWM)方式。相对于相位控制方式,可称之为斩波控制方式,简称斩控方式。在80年代后期,以绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)为代表的复合型器件异军突起。它是MOSFET和BJT的复合,综合了两者的优点。与此相对,MOS控制晶闸管(MCT)和集成门极换流晶闸管(IGCT)复合了MOSFET和GTO。把驱动、控制、保护电路和电力电子器件集成在一起,构成电力电子集成电路(PIC),这代表了电力电子技术发展的一个重要方向。电力电子集成技术包括以PIC为代表的单片集成技术、混合集成技术以及系统集成技术。
随着全控型电力电子器件的不断进步,电力电子电路的工作频率也不断提高。与此同时,软开关技术的应用在理论上可以使电力电子器件的开关损耗降为零,从而提高了电力电子装置的功率密度。
电力网供给用户的是交流电,而各种无线电装置需要用直流电。整流,就是把交流电变为直流电的过程。利用具有单向导电特性的器件,可以把方向和大小交变的电流变换为直流电。
半波整流电路
图2.1半波整流电路图
上图是一种最简单的整流电路。它由电源变压器B 、整流二极管D 和负载电阻Rfz组成。变压器把市电电压(多为220伏)变换为所需要的交变电压e2 D 再把交流电变换为脉动直流电。下面从波形图上看着二极管是怎样整流
图2.2半坡整流电路波形图
变压器砍级电压e是一个方向和大小都随时间变化的正弦波电压它的波形如图5-2(a)所示。在0~K时间内e2为正半周即变压器上端为正下端为负。此时二极管承受正向电压面导通,通过它加在负载电阻Rfz上,在π~2π 时间内,e为负半周变压器次级下端为正,上端为负。这时D 承受反向电压,不导通上无电压在π~2π 时间内重0~π时间的过程,而在3π~4π时间内,又重复π~2π 时间的过程这样反复下去交流电的负半周就被削掉了只有正半周通过Rfz在Rfz上获得了一个单一右向(上正下负)的电压,如图5-2(b)所示,达到了整流的目的负载电压Us以及负载电流的大小还随时间而变化,因此,通常称它为脉动直流。
全波整流电路
如果把整流电路的结构作一些调整,可得到一种能充分利用电能的全波整流电路。下图是全波整流电路的电原理图。
图2.3 全波整流电路图
全波整流电路,可以看作是由两个半波整流电路组合成的。变压器次级线圈中间需要引出一个抽头,把次组线圈分成两个对称的绕组,从而引出大小相等但极性相反的两个电压e2e2b,构成e2D1、Rfz与e2bD2、Rfz,两个通电回路。
图2.4 全波整流电路波形图
全波整流电路的工作原理可用图所示的波形图说明。0~π间内e2a对Dl为正向电压D1导通在Rfz上得到上
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