半导体物理北交经典课件考研必备第六章pn结精品.pptVIP

第六章 半导体界面及接触现象－pn结 半 — 半接触 一、p-n结的形成和杂质分布 对于p＋n结： 对于pn＋结： 例如，室温：KT 0.026eV 当V 0.26V ： V J Js pn结的 J－V 曲线 4．反偏时的p-n结 P－,N＋ qVD q VD － V 反向偏压时pn结势垒的变化 P N Ε内 － ＋ V 0 势垒区? 漂移 扩散 ?势垒区变宽 ?漂移流大于扩散流 ?由漂移作用形成的反向电流很小 （p区电子和n区空穴少） 通过pn结的总反向 J： J Jp扩（n区边界少子）+ Jn扩（ p区边界少子） |V|? J?-Js Js为反向饱和电流 V 0 反向偏压电流饱和 “－”表示 J 与正向时相反 反向电流密度饱和，与外加电压无关 V J Js pn结的 J－V 曲线 pn结具有单向导电或整流效应 5. 温度对pn结电流密度的影响 对反向电流： T ?, Js 迅速增大 且 Eg 越大的半导体， Js 变化越块 对正向电流： 为常数 Vg0 为 0k 时导带底和价带顶的电势差 T ?, 正向 J ? 6. 理想pn结模型 小注入条件 －注入的少子浓度比平衡多子浓度小得多 突变耗尽层条件 －注入的少子在p区和n区是纯扩散运动 ?通过耗尽层的电子和空穴电流为常量 －不考虑耗尽层中载流子的产生和复合作用 ?玻耳兹曼边界条件 －在耗尽