半导体第三讲下单晶硅生长技术精品.pptVIP

垂直磁场对动量及热量的分布具有双重效应。垂直磁场强度过大（Ha 1000/2000），不利于晶体生长。 对无磁场、垂直磁场、勾形磁场作用下熔体内的传输特性进行比较后发现，随着勾形磁场强度的增加，熔体内子午面上的流动减弱，并且紊流强度也相应降低。 * 采用钕铁硼永磁体向熔硅所在空间中引入Cusp磁场后，当坩埚边缘磁感应强度达到0.15T时，熔硅中杂质输运受到扩散控制，熔硅自由表面观察到明显的表面张力对流，单晶硅的纵向、径向电阻率均匀性得到改善。 * 氧浓度的控制 在直拉单晶硅生长过程中, 由于石英坩埚的溶解, 一部分氧通常会进入到单晶硅中, 这些氧主要存在于硅晶格的间隙位置。当间隙氧的浓度超过某一温度下氧在硅中的溶解度时, 间隙氧就会在单晶硅中沉淀下来, 形成单晶硅中常见的氧沉淀缺陷。如果不对硅片中的氧沉淀进行控制, 将会对集成电路造成危害。 * 通过一定的工艺, 在硅片体内形成高密度的氧沉淀, 而在硅片表面形成一定深度的无缺陷洁净区，该区域将用于制造器件, 这就是 “内吸杂”工艺。 如果氧浓度太低, 就没有 “内吸杂”作用, 反之如果氧浓度太高, 会使晶片在高温制程中产生挠曲。 因此适当控制氧析出物的含量对制备性能优良的单晶硅材料有重大意义 * 研究发现，快速热处理 R T P 是一种快速消融氧沉淀的有效方式, 比常规炉退火消融氧沉淀更加显著。硅片经R TP 消融处理后, 在氧沉