半导体超晶格和量子阱精品.pptVIP

* * 4.1 吸收光谱实验 阱宽l 400 nm，量子效应消失，对应于GaAs的本征吸收光谱； 阱宽l 21 nm和14nm，量子效应显示出来，这些峰为电子从价带束缚态跃迁到导带束缚态所对应的吸收。 Dingle等研究了上述量子阱中电子从价带束缚态跃迁到导带束缚态时对应的光吸收实验。  重、轻空穴激子 GaAs/Al0.2Ga0.8As量子阱中不同阱宽下激子吸收光谱。l表示GaAs阱宽，T 2K。随阱宽的减少呈现台阶形的吸收谱，阱宽为400nm时阶消失。 4.2 激子光谱 和体材料相比，量子阱的激子光谱有明显不同的特征： （1）在低温下量子阱的光谱中自由激子的吸收和荧光占主导地位。 （2）按照简单的理论分析，轻重空穴各自形成独立的子带。 （3）激子的束缚能和玻尔半径将受阱宽Lz、电子和空穴势阱的深度（?Ec和?Ev）的影响。 （4）室温下在量子阱吸收光谱中也能看到很强的激子吸收峰。 4.3 激子的饱和吸收 当光强比较小的时候，一般物体的光吸收系数和光强无关，称之为线性光学吸收。 当光强较大的时候，吸收系数可能随着光强的增加而减小，出现了光吸收的饱和现象，称之为非线性吸收。 GaAs/AlGaAs多量子阱中的激子饱和吸收 4.4 室温荧光特性 由于量子限域作用： 电子-空穴的复合发光效率显著提高 电子-空穴易形成激子 发光蓝移 应用： 利用MQW结构，可制备