最新半导体基本知识(第一周).ppt

二、PN结的形成 P型空穴浓度电子浓度 N型电子浓度空穴浓度 空穴 自由电子 1）由载流子浓度差引起扩散运动 2）扩散运动形成空间电荷区，产生内电场 3）内电场促使少子漂移，阻止多子扩散 空穴 自由电子 扩散运动 空穴 漂移运动 自由电子 自由电子 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 4）多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡，形成PN结 三、PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 1) PN结加正向电压时 扩散运动为主，较大的正向扩散电流 低电阻 2) PN结加反向电压时 漂移运动为主；很小的反向漂移电流，近似于截止 高电阻 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 问题1——PN结反向偏置时，为什么只有很小的反向漂移电流？ 问题2——随着反向偏置电压的增大，反向漂移电流如何变化？ 反向漂移电流是由少数载流子运动形成的，浓度很小 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高