最新半导体基础知识回顾.ppt

例题计算 * 在300K时,假设杂质原子完全电离: n≈ND =1016cm-3 p≈ni2/n =(9.65×109)2/1016cm-3 =9.3×103cm-3 从导带底端算起的费米能级: EC?EF=kTln(NC/ND)=0.0259ln(2.86×1019/1016)=0.205eV 从本征费米能级算起的费米能级： EF?Ei=kTln(n/ni)=0.0259ln[1016/(9.65×109)]=0.358eV 能级位置 * 施主与受主同时存在 * 半导体保持电中性: 质量作用定律: (1) (2) N型半导体中： 电子占主导地位，称为多数载流子 空穴占次要地位，称为少数载流子 施主与受主同时存在 * 半导体保持电中性: 质量作用定律: (1) (2) P型半导体中： 空穴占主导地位，称为多数载流子 电子占次要地位，称为少数载流子 温度对载流子浓度的影响 * 对于n型Si: T100K, 施主几乎全部电离, 即所有施主都能够提供载流子; T100K时,则只有部分电离, 即只有部分施主能提供载流子; 载流子 “冻结”效应： 一部分电子 “被冻结”在施主杂质上, 对导电没有贡献. 漂移运动 * 根据动量定理： 电子迁移率(mobility),单位: cm2/(Vs) 迁移率描述了施加电场影响电子运动的强度; 空穴迁移率