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图 共射双极型晶体管反向击穿特性 2、双极晶体管的性能测试 图7.16 测试设备—晶体管参数测试仪 三、MOS结构的C-V特性测试 C-V特性测试简介 MOS（金属－氧化物－半导体）结构的电容是外加压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线，简称C－V特性。C-V曲线与半导体的导电类型及其掺杂浓度、SiO2-Si系统中的电荷密度有密切的关系。 利用实际测量到的MOS结构的C-V曲线与理想的MOS结构的 C-V特性曲线比较，可求得氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度、氧化层中可动电荷面密度和固定电荷面密度等参数。 在集成电路特别是MOS电路的生产和开发研制中，MOS电容的C-V测试是极为重要的工艺过程监控测试手段，也是器件、电路参数分析和可靠性研究的有效工具。 1、MOS结构的电容模型 氧化层电容 氧化层 半导体表面感应的空间电荷区对应的电容 MOS电容是Co和Cs串联而成，总电容C: ——与氧化层其厚度成反比，而与外加偏压VG无关。 ——由空间电荷区单位面积电量Qs随表面势Vs的 变化率大小而定 2、MOS结构的C-V特性 P型衬底的MOS P型衬底 绝缘体（氧化物） － － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ b.较小正栅压下 负栅压 P型衬底 绝缘体（氧化物）