第4部分_传感器原理5-光电磁敏半导体 0.pdfVIP

第三章 常用传感器与敏感元件 第五节 光电传感器 光电传感器把光转换为电信号的传感器。 若用 它来测量其他非电量时，只需将这些非电量的变化 先转换为光信号的的变化。 这种测量方法具有结构简单、可靠性高、精度 高、非接触和反应快等优点 ，被广泛用于各种自动 检测系统中。 光电传感器通常能敏感到由紫外线到红外线光 的光能量，并能将光能转化成电信号的器件。其工 作原理是基于一些物质的光电效应。 常用的有光敏电阻、光敏二极管和光敏三极管等。 光电传感器 一、光电测量原理 光电传感器的工作原理是基于光电效应。 用光照射某一物体，即为光子与该物体的能量交 换过程，这一过程中产生的电效应称为光电效应 —— 按其作用原理分为外光电效应、内光电效应 和光生伏打效应。 1. 外光电效应 →在光照作用下，物体内的电子从 物体表面逸出的现象 金属中存在大量的自由电子，通常，它们在金属 内部作无规则的热运动，不能离开金属表面。但当 电子获得等于或大于电子逸出功的能量时，便可离 开金属表面。如光电管和光电倍增管等。 光电传感器 每个光子具有的能量为 E hv 普朗克常数 光速 当物体受到光辐射时，其中的电子吸收了一个光 子的能量E ，该能量的一部分用于使电子从物体内部 逸出所做的逸出功A ，另一部分则为逸出电子的动 能，即 1 2 爱因斯坦光电 hv mve + A 效应方程式 2 电子质量 电子逸出速度 ①光电子逸出表面的必要条件是 hv A 。 ②单位时间内发射的光电子数与入射光光强成正比。 这意味着：光强大→入射光子多→逸出的电子数多 光电传感器 2. 内光电效应 →在光照作用下，物体的导电性能 如 电阻率发生变化的现象。 内光电效应不发生电子逸出，物体内部的电子吸 收光能量而摆脱原子核的束缚，成为自由电子，从而 使物体的导电性能发生变化。如光敏电阻和光导管。 例如，半导体材料受到光照时会产生电子—空穴对， 使其导电性能增强,光线愈强，阻值愈低。 3. 光生伏打效应 基本上可以说是内光电效应，都是 电子吸收了光子，从束缚状态变成有某种程度的自由 状态——可以形成电流。不同的是，光伏效应里还有 PN结处内电场的贡献——它把在PN结处产生的电子- 空穴对分开并推到两极形成稳定的电势差。 光电传感器 正电荷表示硅原子（四价 元素）的惯性核，负电荷 表示围绕在硅原子旁边的 四个电子。 黄色的表示掺入的硼原子 （三价元素），因为硼原 子周围只有3个电子，所 以就会产生入图所示的蓝 色的空穴，这个空穴因为 没有电子而变得很不稳 定，容易吸收电子而中