电力电子技术王兆安第五版摘要.pptVIP

IGBT耐压可达2500~3300V，耐流可达800~1800A，明显高于MOSFET。 IGBT开关频率可达10~40KHZ，高于BJT。 IGBT广泛用于中小功率，尤其在PWM控制的电力电子装置中占据重要地位。 4. 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT） 光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响，因此目前在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位，利用8KV/3.5KA光控晶闸管构成的300MV.A容量的电力电子装置是目前最大的电力电子装置。 思考： 1 下图为一晶闸管调试电路，以检测晶闸管工作后输出电压是否正确，调试中发现Rd断开电压表读数不正常，而Rd接通读数正常，请分析原因。 u2 Q Ud v Rd 2 下图中，要使晶闸管VT导通，门极触发信号最小要维持多长时间？ 已知：E=50V，R=0.5Ω, L=0.5H, IH=10mA, IL=15mA。 3 型号为KP100-3、IH=4mA，晶闸管在下图中应用是否合理？为什么？（不考虑裕量） 2.4 典型全控型器件 2.4.1 门极可关断晶闸管 2.4.2 电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 2.4.1 门极可关断晶闸管 门极可关断晶闸管（GTO） 晶闸管的