siolt;2gt;提高匍匐型剪股颖和水稻耐高温胁迫的机理研究.pdfVIP

摘要 高温是制约植物生长的主要环境因子之一。硅能够提高植物的耐早性和耐热性，但 其机制仍不清楚．为研究硅对提高植物抗高温环境的影响，我们应用不同浓度的Na2Si03 作为硅源施入植物根部，用红外热像仪测定匍匐型剪股颖的叶表温度，比较施硅处理与 对照植株的耐热性差异。昭果表明，生长75天的匍匐型剪股颖，施硅处理与对照相比， 叶表温度有所降低，施用3mmol·L-1Na：Si03的降温效果尤其显著：随着测定环境温度 的升高，施硅处理的降温效果更加明显。对匍甸剪股颖的叶片进行EDX面扫描，硅主 要分布在叶片外表皮长细胞上，在叶表上形成了相似的条状，而对照叶片上则没有J为。 验证硅的降温作用主要是沉积在叶片外表皮的si02的红外热辐射造成的，而不同的硅 源处理和施用方式在红外热辐射特性上没有差异，我们人工合成了两个尺度的SiO：纳 米球，喷施在剪股颖叶表，并测定叶表温度变化，观察硅的分布。r结果表明，不同的硅 源处理起到了相同的降温作用，硅的分布特征也相同。为排除蒸腾降温作用和群体效应， 我们测定了去除地上部的根部温度和涂抹Si02溶胶的有机板温度。结果显示施硅后根 部的温度也有所降低，涂抹Si02溶胶的有机板比涂抹去离子水的有机板温度低。施硅 后地上部生物量有增加的趋势，施3mmol·L—N