基于SOI基的LIGBT的新结构及特性创新.pptVIP

IGBT新结构及特性 2140320093 许峰 SOI LIGBT  栅极上足够大的正偏压+阳极施加一定的正偏压→来自N+阴极区的电子流经过N型沟道区进入N漂移区→到达Jl结的边界后累积→降低了Jl结N基区一侧的电势→当Jl结两端的电压大于PN结的开启电压→P+阳极区向N漂移区注入空穴→此时横向PNP晶体管处于导通状态→S0I LIGBT开始导通。 注入到N基区的空穴在电场的作用下向阴极区漂移扩散，其中一部分在N基区与来自MOS沟道区的电子复合，另一部分通过J2结流入P Well，最后通过P Well欧姆接触区从阴极电极流出。 由于J1结正偏，注入到N漂移区的空穴浓度远超过漂移的掺杂浓度,根据电中性原理,注入的大量空穴将吸引N_漂移区中等量的电子,即N1漂移区发生了电导调制效应,使得电流密度提高n-漂移区的导通电阻大大降低,从而降低了具有髙耐压性能的SOILIGBT器件的通态压降,降低了器件的通态功耗,从根本上解决了 LDMOS器件耐压与导通电阻之间的矛盾。 功耗理论 功率半导体器件大多数工作于开关状态，在开、关过程和导通、关断状态都有功耗产生。IGBT 器件的功率损耗包括静态功耗和动态功耗。 静态功耗指的是IGBT 处于静态下发生的功耗，包括通态功耗和关态功耗， 动态功耗由开通功耗和关断功耗组成。 IGBT 为电压型驱动器件，