最新第7章 刻蚀工艺.ppt

第7章 刻蚀制程 7.1 概述 7.2 湿法刻蚀 7.3 干法刻蚀 7.4 质量评价 7.1 概述 广义而言，刻蚀技术包含了所有将材质表面均匀移除或是有选择性的部分去除的技术，可大体分为湿法刻蚀与干法刻蚀两种方式。 本情景针对半导体制造工艺中所用的刻蚀技术做详细介绍，内容将包括湿法刻蚀和干法刻蚀技术的原理，以及Si、SiO2、Si3N4、多晶硅及金属等各种不同材料刻蚀方面的应用。将重点描述干法刻蚀技术，并将涵盖刻蚀反应器、终点探测以及等离子体导致损伤等的介绍。 7.2 湿法刻蚀工艺 湿法刻蚀又称为湿化学刻蚀法，主要是借助刻蚀剂与待刻材料之间的化学反应将待刻膜层溶解达到刻蚀的目的。湿法刻蚀的反应产物必须是气体或可溶于刻蚀剂的物质，否则会造成反应物的沉淀，影响刻蚀的正常进行。 湿法刻蚀的进行，通常先利用氧化剂(如Si和Al刻蚀时的HNO3)将被刻蚀材料氧化成氧化物(例如SiO2、Al2O3)，再利用另一种溶剂(如Si刻蚀中的HF和A1刻蚀中的H3PO4)将形成的氧化层溶解并随溶液排出。如此便可达到刻蚀的效果。 刻蚀分三步进行： ①刻蚀剂扩散至待刻材料的表面； ②刻蚀剂与待刻材料反应； ③反应产物离开刻蚀表面扩散至溶液当中，随溶液排出。 缺点：湿法刻蚀多是各向同性的，在将图形转移到硅片