eeprom的化层特性和电荷保持特性分析.pdf

摘要 摘要 随着科技水平的发展，非易失性存储器逐渐成为了存储器系列的主流。其中 的EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)更是得到了广泛的应用。我国正在更 换的“国家第二代居民身份证”上的存储芯片采用的就是EEPROM单元。 本文针对EEPROM的可靠性问题进行了分析和研究。提出隧道氧化层退化的 主要机制，分析了sILc和热载流子效应。在理论研究的基础上，通过实验分析 了隧道氧化层和oN0层的SILc电流以及击穿特性，并比较了应力前后sILc电 流的变化，指出热载流子效应使得氧化层中的陷阱以及俘获电荷增多，是造成应 力后SILc电流增大的原因。分析了sILC尖峰电流的成因，认为是正电荷陷入了 Si02层，使隧穿电子的势垒下降，产生迅速增大的瞬态电流，其后电流的迅速减 小是由退阱效应和由此产生的正电荷隧穿中心的湮灭所引起的。认为由电容面积 增大所造成的氧化层缺陷和陷阱数目增多，是其sILc尖峰电场增强和击穿电流 增大的主要原因。 在此研究的基础上，对EEPROM的保持特性进行了较为深入的研究。通过理 论推导和仿真曲线解释了EEPROM输出曲线向上倾斜的成因，介绍了加速实验 的概念和热加速实验的机理。重点阐述了电加速实验的原理和理论基础，对电可 擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析 和研究，得出了EEPRoM单元电荷保持能力的理论公式，得到了单元保持状念 下的电特性曲线，发现外加电压是影响单元电荷保持特性的主要原因。在假定电 定外加电压下的电荷保持时间，并通过实验得出简化了的EEPROM单元寿命公 式。 EEPRoMSILC 关键词： F-N隧穿阈值电压 Abstract Abstract Asthe a11d semiconductor science memory technologyimproves，nonvOlatile themainstrealnin the serious． graduallybeing memory NOwadays， used Electrically—ErasablePro酽amm如leRead—OniyMemory(EEPROM)iswidely． Newresidem cardofollr wiIlbeused EEPROMis identity country recentlywhich toits appliedstoragechip． This the ofEEPROM．Mainmechanismof paperinvestigatesreliabilityproblem theturuleloxide’s is f．0nvard．Stressinduced degenerationput leakagecun℃nt(SILC) andhot_carriere雎ctis thebasisofacademic and analyzed．0n research，SILC characterisresearched is beforeaIldaRer puncture by