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pbs半导体纳材料非线性光学特性研究

芝玺鎏三些查兰三耋堡圭兰堡篓兰 摘要 半导体纳米材料非线性光学性质的理论和实验研究一直是人们关注的 热点,主要的研究目的是寻找具有非线性光学响应的材料,使其可能应用 于光开关、光通讯中的频率转换等领域。半导体纳米材料在光限幅方面也 表现出优良性能,材料的光限幅行为是基于材料非线性光学特性,因而选 择合适材料并研究它的光学非线性响应特性是非常重要、并具有实际意义 的课题。 在论文的第一章介绍了半导体纳米材料非线性光学性质的研究背景、 现状,概述了半导体纳米粒子共振非线性和非共振非线性光学性质,并通 过理论模型的建立而探索提高纳米微粒三阶极化率的有效途径。单光束z. 扫描技术是研究材料非线性光学性质的一种重要实验方法,本文给出了该 方法详细的理论描述。在第三章,从固体能带理论的有效质量近似模型出 发研究半导体纳米晶的电子结构,并解释了半导体量子点尺寸对三阶非线 性的影响。详细阐述了材料光限幅机理及光限幅参数。 第四章主要对实验结果进行了系统的分析。通过对五种不同空间形态和 尺寸的PbS半导体纳米粒子的z.扫描和非线性透射实验,系统的分析研究 了PbS半导体纳米材料的三阶非线性光学性质和光限幅特性,并详细研究 材料尺寸及维数对三阶非线性效应的影响。实验结果表明所测的五种PbS 样品均具有自聚焦和双光子吸收的特性。在所测得的尺寸范围内,非线性折 射率并不严格的依赖与材料的维数和尺寸。非线性透射实验结果显示半导体 纳米材料具有好的光限幅行为,限幅行为主要与其三阶光学非线性效应有 关。所测的五种PbS半导体纳米材料均具有较高的非线性折射系数和双光 子吸收系数。 关键词半导体纳米粒子:Z.扫描;光限幅;双光子吸收 堕童堡三些奎兰三兰堡圭兰堡鎏兰 Abstract materialwith Nanometer-sizedsemiconductor third—order large optical and to in fast response,due nonlinearity applicationprospectsfrequency transformationabout communicationand a optical optical devices,is switching intheoreticaland atall hot research topic experimental semiconductormaterialexhibits behavior.Selection optical of good limiting and materials of theirnonlinear is appropriate investigation responsevery andhas importantpracticalsignifican

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