sigecsi率二极管新结构的研究与特性分析.pdf

摘 要 SiGeC/Si 功率二极管新结构的研究 ∗ 与特性分析 学科名称：微电子学与固体电子学 作者姓名：刘 静 签名： 指导教师：高 勇 职称：教授 签名： 马 丽 职称：讲师 签名： 答辩日期： 摘 要 传统的 Si p-i-n 功率二极管由于其材料特性的局限性，很难适应高频化电力电子电路对功率二极 管低通态压降、较小的反向漏电流以及快而软的反向恢复特性的要求。SiGe 材料因其载流子迁移率 高、能带可调等优点受到广泛关注，但是 SiGe 合金中较大的应变能影响了材料的性能和使用范围。 于是出现了 SiGeC 合金材料，利用 C 的补偿作用缓解 SiGe 合金中的应变，增加材料临界厚度，提高 器件特性。 + - + 本文将 SiGeC 技术应用于功率半导体器件的特性改进，提出了一种 p (SiGeC)-n -n 异质结功率二 极管结构。在分析 SiGeC 合金材料物理特性的基础上，给出了该结构的关键物理参数模型，并在此基 础上利用 MEDICI 模拟、对比分析了 C 的引入对器件各种电特性的影响。结果表明：在 SiGe/Si 功率 二极管中加入少量的 C，在基本不影响器件正向 I-V 特性和反向恢复特性的前提下，大大减少了器件 的反向漏电流； C 的加入还减小了器件特性对材料临界厚度的依赖性，提高了器件稳定性。另外，本 文还提出了两种快速软恢复 SiGeC/Si 异质结二极管新结构：理想欧姆接触型和 n- 区渐变掺杂理想欧姆 接触型。模拟结果表明：在第一种新结构中，器件的反向恢复特性大大改善，恢复时间明显缩短，软 度因子显著提高，反向峰值电流也有不同程度的降低，但其缺点是，在改善反向恢复特性的同时会使 器件的通态特性和反向阻断特性变差；而第二种新结构不仅具有快而软的反向恢复特性，而且 n- 区中 三层渐变掺杂的引入使器件的反向阻断电压增加了将近一倍，正向通态压降也有所降低，很好的实现 了功率二极管中 Q -V -I 三者的优化折衷。同时，本文还对合金中 Ge/C 比例进行了优化设计，认为 s f r Ge、C 含量分别为 20%和 0.5%时，器件综合性能最优。 关键词：SiGeC/Si 异质结 反向漏电流 反向峰值电流 软度因子 ∗ 本课题为国家自然基金资助项目. 编号 I Abstract RESEARCH AND CHARACTERISTICS ANALYSIS OF NOVEL STRUCTURE OF SiGeC/Si POWER DIODES∗ Subject: Microelectronics and Solid electronics Student: Liu Jing Signature: Tutor: Prof. Gao Yong Signature: