多晶硅源漏si n-mosfet关键技术研究.pdfVIP

摘要 MOSFET器件。该器件使用 多晶硅源漏SiCMOSFET是一种新型结构的SiC 多晶硅／SiC异质结代替了重掺杂的pn结来做MOSFET的源和漏区，从而避免了 SiC离子注入工艺难度大、退火温度高、晶格损伤大，注入激活率低等问题。这种 器件结构可以通过同时氧化多晶硅和SiC形成栅氧和侧墙，解决了隔离墙工艺复 杂等问题。 MOSFET 但是由于侧墙的存在，使沟道开启变得困难，阈值电压比传统的SiC 要高。因此如何改进工艺步骤和器件结构，减小甚至消除侧墙的影响是目前的主 要问题。 本文针对N沟道的多晶硅源漏SiCMOSFET器件做了如下几个关键技术研究： 采用器件模拟软件ISE TCAD模拟了p+多晶硅／P。4H．SiC异质结的电流特性， 分析了该异质结的正反向电流输运过程。进行了n+多晶硅／N+SiC欧姆接触的实验 姆接触。 分析了Si02／SiC界面处出现的界面态，以及Si02中存在的固定电荷对器件特 性的影响。研究表明，Si02／SiC界面处的受主界面态严重影响了器件的性能。 分析了由于过刻蚀SiC导致器件结构发生的变化，以及由此引起的器件特性 的变化。提出了一种改进器件特性的工艺方案，即使用氧化淀积的多晶硅形成栅 氧和侧墙。研究表明，只要较好的控制淀积的多晶硅的厚度，以及氧化时间，就 能形成可以接受的绝缘层厚度。模拟结果显示，使用该方案形成的器件具有较好 的特性。本文还提出使用氮化si02的方法来提高绝缘层介电常数，从而提高器件 性能。 关键词：碳化硅MOSFET多晶硅异质结 Abstraet Abstract SiliconCarbidemetal-oxide‘。semiconductorfield-effect new source／drainisa kindofSiCMOSFETs．ne polysilicon heavilydoped source／drainstructureinatraditionalMOSFETistotallyreplacedbypolysilicon／SiC contact．Ⅱ1isdeviceeliminatesthe ofion and heterojtmction steps implantation at for conventionalSiCMOSFET．Atthesame has annealinghi班temperature time，it caused andlow no of ion activationrateof crystal problems damage by implantation atoms．The of sidewallis implanted complicatedprocessfabricating replacedby and SiC． oxidizingpolysilicon simultaneoasiy Becauseofthethick devicehasa threshold