多晶硅纳米薄膜阻机理与特性的研究.pdf

Classified Index: TM23 U.D.C: 621.3 Dissertation for the Doctoral Degree in Engineering STUDY ON PIEZORESISTIVE PRINCIPLE AND PROPERTIES OF POLYSILICON NANOFILMS Candidate: Chuai Rongyan Supervisor: Prof. Liu Xiaowei Academic Degree Applied for: Doctor of Engineering Specialty: Microelectronics and Solid-State Electronics Affiliation ： Dept. of Microelectronics Science and Technology Date of Defence: October, 2007 Degree-Conferring-Institution: Harbin Institute of Technology 摘要 摘 要 多晶硅薄膜良好的压阻特性使其在 MEMS 压阻式传感器中得到了广泛 应用。本文的研究结果表明多晶硅纳米薄膜（PSNF ）具有更为优越的压阻特 性，有着广阔的应用前景。然而，PSNF 的压阻特性目前还没有引起国内外 研究者的重视，这方面的基础研究近于空白。为此，本文利用低压化学气相 淀积（LPCVD ）技术制备了具有不同结构的多晶硅纳米薄膜，在实验的基础 上对 PSNF 的压阻特性进行了系统的研究，建立了多晶硅压阻特性的理论模 型，为这种纳米功能材料的应用开发奠定了基础。 现有的多晶硅压阻理论是在上世纪后期许多研究者大量实验的基础上形 成的，并在普通多晶硅薄膜（膜厚一般在几百纳米到几微米之间）压阻特性 的实验和应用中得到了验证。现有理论认为，晶粒越大多晶硅薄膜的应变因 子（GF ）越大；重掺杂情况下，掺杂浓度越高多晶硅薄膜的GF愈小。一般， 薄膜越薄，晶粒越小，所以按照现有多晶硅压阻理论，膜厚接近或小于 100nm 的多晶硅纳米薄膜应该具有较小的GF数值。事实并非如此，本文在实验中首 次发现多晶硅纳米薄膜在 1020 cm-3 以上的重掺杂情况下，GF随掺杂浓度增加 而增大的现象，而且还发现了GF随晶粒减小而增大的现象。这些现象虽然无 法用现有多晶硅压阻理论给出合理解释，但却表明了多晶硅纳米薄膜在重掺 杂条件下具有良好的压阻特性。利用这一特性很好地解决了普通多晶硅薄膜 在改善温度特性时所面临的GF减小的内在矛盾。 利用扫描电镜（SEM ）、透射电镜（TEM ）和 X 射线衍射（XRD ）对多 晶硅纳米薄膜的微观结构进行了表征，给出了 PSNF 压阻特性与薄膜结构之 间的关系。同时，采用离子注入技术制备了不同参杂浓度的 PSNF 样品，通 过实际测试给出了压阻特性与参杂浓度的关系。这些实验结果为研制具有最 佳压阻特性的 PSNF 提供了可靠的技术数据，也为理论研究奠定了实验基础。 为了揭示多晶硅纳米薄膜复杂的压阻特性，提出了隧道压阻效应的概念。 并利用量子隧道效应和能带退耦分裂理论，阐明了隧道压阻效应的形成机理， 在此基础上建立了多晶硅压阻特性的新模型—— 隧道压阻模型（TPM ）。实验 证明：隧道压阻模型不但适用于多晶硅纳米薄膜，也适用于普通多晶硅薄膜， 是更为全面的多晶硅压阻模型。最后，本文运用隧道压阻模型，对多晶硅纳 米薄膜的实验结果进行了全面分析。结果表明：淀积温度、薄膜厚度和掺杂