太阳能电池各参数的含义要点.pptVIP

* 丝印工艺汇总 知识只是知识，知识再多也不是智慧 智慧就是你的心境和态度。 　　　　　　　　　　　 ————周公庆 太阳电池原理 目前绝大部分的电池片的基本成分是硅,在拉棒铸锭时均匀的掺入了B(硼),B原子最外层有三个电子,掺B的硅含有大量空穴,所以太阳能电池基片中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子,是P型半导体. 在扩散工序扩入大量的P(磷)原子,P原子最外层有五个电子,掺入大量P的基片由P型半导体变为N型导电体,多数载流子为电子,少数载流子为空穴. 太阳电池原理----基本原理 漂移中和 1，在P型区域和N型区域的交接区域,多数载流子相互吸引,漂移中和,最终在交接区域形成一个空间电荷区（即内建电场区）.在内建电场区电场方向是由N区指向P区. N型半导体 P型半导体 太阳电池原理----基本原理 空间电荷区 2，当入射光照射到电池片时,能量大于硅禁带宽度的光子穿过减反射膜进 入硅中,在N区、耗尽区、P区激发出光生电子空穴对.光生电子空穴对在耗尽区中产生后,立即被内建电场分离,光生电子被进入N区,光生空穴则被推进P区. 光生电子空穴对在N区产生以后,光生空穴便向PN结边界扩散,一旦到达PN结边界,便立即受到内建电场作用,被电场力牵引做漂移运动,越过耗尽区进入P区,光生电子(多子)则被留在N区.P区中的光生电子(少子)同样的先因为扩散,后因为漂移而进入N区,光生空穴(多子)则留在P区.在PN结的两侧形成了正负电荷的积累,产生了光生电压,这就是“光生伏特效应”. N区 P区 内建电场 电子空穴对 电子空穴对 电子空穴对 大量正电荷 大量负电荷 太阳电池原理----原理图 Ebi p区 n区 P+区 2μm 正电极 Voc 0.2μm 180~200μm 3~6μm lh le 长波 短波 中波 正电荷 电子 背 场 太阳电池原理 电池片厚度一般为180~200μm. 电子空穴对EHP扩散距离le=(Deτe)1/2其中De为扩散系数. n侧少子为空穴,扩散长度很短,再由于n侧是重扩散杂质,所以少子寿命非常短,因此n侧做得很薄(0.2μm),事实上,n侧的厚度ln可能少于空穴的扩散长度lh.表面位置由于存在各种缺陷成为复合中心.短波光会在表面被吸收,产生电子空穴对,这些非常接近n侧表面的光生电子和空穴对很快就消失掉,这就是短波光量子效率很低的原因. 在波长约为1至1.2μm的光,硅材料对其吸收的系数很小α很小,吸收深度(1/ α)通常会大于100μm。为了俘获这些长波光子,我们需要相当厚的p侧材料，同时这种材料又必须是无缺陷的,使它有足够长的少数载流子扩散长度le .通常p侧材料厚度为200μm.而少数载流子扩散长度le会少于这个长度. 硅材料的带隙Eg约为1.1ev. 太阳电池原理----光电流Isc 充足的太阳光照射到晶体硅太阳能电池时，电池片的整个厚度内都会产生光生载流子,其电子空穴对的产生率Gp(即单位时间单位体积内产生的电子空穴对数目),以Goexp(- αx)衰减。 （其中Go是电子空穴对在表面时的产生率, α是材料吸收系数.） 假定1,太阳电池厚度很薄,使所有的光生载流子都能流经外电路. 假定2,lh是大于n侧厚度ln ,所以,在体积(ln+w+le)内产生的全部电 子空穴对都贡献给光电流. 假定3,在材料表面的光生载流子的复合可以被忽略. 其表面积A=5cm×5cm,ln =0.2μm,W=2μm,le=50μm,Go=1×1018cm-3s-1 太阳电池原理 不同波长的光所产生的Isc 1，对于光波长λ≈1.1μm，α=2000m-1（吸收深度δ=1/ α=500μm）, 求得Isc=20mA. 2，对于强吸收的光波长λ≈0.83μm， α=10 × 105m-1（吸收深度 δ=1/ α=10μm）,求得Isc=40mA. 3，α随着光波长的缩短而增大,最后(当λ?450nm)由于α非常大，会 使光生载流子只发生在电池片表面，而电池片的 表面区的缺 陷很容易使电子空穴对被复合掉，从而使光电流反而减小。 太阳电池测试原理----光电流密度和光电压 1，光电流密度 光生载流子的定向运动形成光电流.如果入射到电池的光子中,能量大于禁带宽度Eg的光子均能被电池吸收,而激发出数量相同的光生电子空穴对,且可以被全部收集,则光生电流密度的最大值为: 式中 为每秒入射到电池上能量大于