模电课件2.4.ppt

vi =ibrbe ，vo=－βib(Rc //RL）= －βR?L ib ，故电压放大倍数  又由该图得：vi=ii (Rb//rbe )，故输入电阻考虑到Rbrbe，则 输出电阻Ro的求法： 由于us=0，ib=0，因此ic=βib=0，于是vo=icRc，输出电阻 ? 总结: 共射基本放大电路基本技术参数: 实用放大电路——双电源供电电路 如图所示的原理电路在实际应用时存在什么问题？ 实用放大电路——双电源供电电路 如图所示的原理电路在实际应用时存在以下几个问题： （1）交流信号源与直流电源共用一个回路，相互影响。 （2）信号源经Rb才加到发射极两端，使发射极两端的信号大大减小，导致放大电路的放大性能的下降。 （3）输出电压 uO中含有直流成分。 为解决上述问题，可将阻容耦合交直流叠加（或分离）电路引入到放大电路中来，如图2所示。 由于该放大电路使用了两组电源，所以称为双电源供电电路。C1 、C2称为耦合电容或隔直电容 。 该电路又称为阻容耦合放大电路. 　　 　　 用估算法确定静态值的方法： ①? 画放大电路的直流通路（原则：电容开路，电感短路） ②? 列输入回路电压方程 列输出回路电压方程 或 联解方程组得 、 和 [解] 例1. 固定基流偏置电路如图所示。已知： BJT的 (1)计算静态工作点Q，并分析Q点设置的是否合适。 (2)当 和BJT不变时，要使 ，可以改变哪些参数? VCC RC RB IB IC 解：（1） 由于 偏小，Q点靠近饱和区，因此Q点设置的不合适。 VCC RC RB IB IC 解： （2)若RB保持不变，仅改变RC，则IB和IC保持不变。 若RC保持不变，仅改变RB，则 VCC RC RB IB IC 图解法： 例2 在稳基流偏置电路中， 假设晶体管为锗NPN管， 室温时β=50，UBE=0.25V，ICBO=1μA, 偏置电路的UCC=6 V，RB=180kΩ，RC=2kΩ。试计算Q及温度由室温升高30℃时ICQ和UCEQ的变化情况。  VCC RC RB IB IC 解: 室温时可求得 IBQ=32μA，ICQ=1.6mA, UCEQ=2.7V β=50，UBE=0.25V，ICBO=1μA, 偏置电路的VCC=6 V，RB=180kΩ，RC=2kΩ VCC RC RB IB IC 基本稳定 解: 室温时可求得 IBQ=32μA，ICQ=1.6mA, UCEQ=2.7V 当温度升高30℃后，β′=65, 那么 I′CQ=2.08 mA 集电极静态电流变化的相对值为 随温度每升高1℃，β相对值增加（0.5~1.0）%（间距加大）。 由上例可以知道， 温度升高30℃后，ICQ将明显增大， 而UCEQ则明显减小。原本处于放大区中心的静态工作点如图所示，将沿直流负载线上升到靠近饱和区。 这时，加上基极输入正弦信号电流，当它变化到正半周期间，晶体三极管就会进入饱和区， 使得集电极电流ICQ 和电压UCE的波形产生严重的失真。 由上例可以知道， 温度升高30℃后，ICQ将明显增大， 而UCEQ则明显减小。原本处于放大区中心的静态工作点如图所示，将沿直流负载线上升到靠近饱和区。 这时，加上基极输入正弦信号电流，当它变化到正半周期间，晶体三极管就会进入饱和区， 使得集电极电流ICQ 和电压UCE的波形产生严重的失真。 因此， 为了保证放大器在很宽的温度范围内正常工作，就必须采用热稳定性高的偏置电路。  提高偏置电路热稳定性有许多措施，常采用分压式偏置电路和恒流源偏置电路(第4章介绍)。 小结： T IC 固定偏置电路的Q点是不稳定的。为此，需要改进偏置电路，当温度升高、 IC增加时，能够自动减少IB，从而抑制Q点的变化。保持Q点基本稳定。 常采用基极分压式偏置电路来稳定静态工作点。 (二) 基极分压射极偏置电路 静态工作点Q (ICQ,IBQ,UCEQ) (二) 基极分压射极偏置电路 基极分压射极偏置电路稳Q条件： Ib1≈ Ib2﹥﹥IB 工程上取 10倍。 (二) 基极分压射极偏置电路 1. 稳定工作点原理 目标