半导体二极管和三极管资料.ppt

物质按导电能力的不同可分为导体、半导体和绝缘体三大类。，典型的半导体有硅(Si)和锗(Ge)，以及砷化镓(GaAs)等。硅和锗在元素周期表上是四阶元素。 半导体的导电能力虽然介于导体和绝缘体之间，但半导体的应用却极其广泛，这是由半导体的独特性能决定的： 二. N型半导体和 P 型半导体 三. PN结及其单相导电性 1. PN结的形成 2. PN结的单向导电性 (2) PN 结加反向电压（反向偏置） 一. 基本结构 二. 伏安特性 三. 二极管的参数 四. 稳压二极管 主要参数 四、 稳压电路 最简单的直流稳压电路是硅稳压管稳压电路，如图所示。 ① RL↑→Uo（UZ）↑→IDZ↑→IR↑ ② RL↑→IL↓→IR↓ （若△IL≈-△IDZ,则Uo基本不变） 三极管有 三个极：基 极b 集电极c 发射极e 三个区：基区、发射区、集电区 两个PN结：发射结和集电结 (2)集电结加上反向偏置。 UCE ≥UBE 1. 三极管放大的外部条件 三极管电流测量数据 (1)三极管各极之间的电流分配关系是 且IB＜＜IC (2) 基极电流IB增大时, 集电极电流IC也随之增大。 IC与IB的比值基本是一个常数，这个常数称为三极管的电流放大系数，用 表示,即: 直流放大系数 或 交流放大系数 或 ΔIC = βΔIB β体现了三极管的电流放大能力， β值在20~200之间。由此看来，三极管具有电流放大作用，在满足三极管电流放大的工作条件下，将基极电流IB放大β倍而形成集电极电流IC。 三极管的输出特性是指在基极电流 一定的情况下，三极管输出回路中的集电极电流 与集电极和发射极之间的电压 之间的关系特性，即：  三极管的工作三个工作区域 ： 四. 三极管的主要参数 1. 电流放大系数 可以用万用表对三极管的电极、好坏作大致的判断。无论是基极和集电极之间的正向电阻，还是基极与发射极之间的正向电阻，都在几千欧姆到十几千欧姆的范围内，而反向电阻则趋近于无穷大。若测出的电阻无论正反向电阻值均为零，说明此三极管内部已短路；若测出的电阻无论正反向电阻值均为无穷大，说明此三极管内部已断路，三极管已损坏。 测量判断方法为：用万用表的黑表笔接触某一管脚，用红表笔分别接触另外两个管脚，如果两次测得的阻值都很小，则黑表笔接触的那一个管脚就是基极，同时可知此三极管是NPN型；若用万用表的红表笔接触某一管脚，用黑表笔分别接触另外两个管脚，如果两次测得的阻值都很小，则红表笔接触的那一个管脚就是基极，同时可知此三极管是PNP型。当基极确定后（以NPN型三极管为例），假设剩余的两个管脚中的一个为集电极，另一个为发射极。用手捏住假设的集电极和基极，将黑表笔接到假设集电极管脚上，红表笔接到假设的发射极管脚上，观察表针的指示，并记住此时的电阻值。然后交换红黑表笔的位置，做同样的测量记录，比较两次读数的大小，读数小的一次假设是正确的。 IC VBB mA ?A V UCE UBE RB IB VCC V + + – – – – + + 三. 三极管的共射特性曲线 1. 输入特性曲线 三极管的输入特性是指当集电极与发射极之间的电压 为常数时,输入回路中基极静态电流 与发射结二端的静态电压 之间的关系特性,即: UCE =0发射结、集电结正偏，两个二极管正向并联。 UCE≥1 集电结反偏，IB 减小 UCE 1 ， IB变化很小，与 UCE = 1 曲线重合。 三极管的输入特性曲线是一条非线性曲线，发射结二端电压 与基极电流 的关系随曲线上的点的位置不同而不同，因此要确定一个合适的电压和电流，即在输入特性曲线上找一个合适的点，这个点称之为三极管的静态工作点，通常用 Q 表示。 当电流和温度为某一定值时，输出特性曲线为一根特性 曲线。当基极电流取值不同时，输出特性曲线是一簇曲线。 当 ≥ 1V后，集电极电流 不再有明显的增加。 2 .输出特性曲线 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB