半导体异质结发展概述课件.pptVIP

题目：半导体异质结的发展 及其性质的讨论 pn结是在一块半导体中用掺杂的办法做成两个导电类型不同的部分。一般pn结的两边是用同一种材料做成的，也称为“同质结”。广义上说，如果结两边是用不同的材料制成，就称为“异质结”，但一般所说的指两种不同半导体材料的接触构成的半导体异质结。根据结两边的半导体材料的导电类型，异质结可分为两类：反型异质结(p-n，n-p)和同型异质结(n-n，p-p)。另外，异质结又可分为突变型异质结和缓变型异质结，当前人们研究较多的是突变型异质结。 主要内容： 异质结器件的发展过程 异质结结构的物理性质 当前的一些研究进展 pn结是组成集成电路的主要细胞，50年代pn结晶体管的发明及其后的发展奠定了现代电子技术和信息革命的基础。 1947年12月，巴丁﹐J.﹑W.H.布喇頓和W.肖克萊发明点接触晶体管。 1949年肖克莱提出pn结理论 ，也称为理想pn结的肖克莱方程： j=js(eqv/kt-1) 其中j=q(np0Dn/Ln+pnDp/Lp). 1957年，克罗默指出有导