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第一章 半导体材料 1 半导体材料物理基础 1.1 半导体中的电子状态 1.2 半导体的电学性质 1.3 半导体的光学性质 1.4 半导体磁学性质 能带的准自由电子物理模型 金属中的准自由电子（价电子）模型 半导体的霍尔效应 霍尔系数及霍尔迁移率 x方向施加电场Ex，电流密度为Jx, z方向施加磁场Bz y方向产生的电场Ey为： RH称为霍尔系数，单位为：m3C-1 霍尔角（q）：总电场E与电流方向的夹角 mH为霍尔系数 半导体的磁阻效应 半导体的磁阻效应及其物理机制 磁阻效应：在垂直于电流方向上施加磁场，沿外加电场方向的电流密度有所降低，即表观电阻增大，称此效应为磁阻效应 物理机制 锗、硅半导体 Ge、Si的物理性质 锗、硅半导体 Ge、Si的晶体结构 锗、硅半导体 Ge、Si的能带结构 * 1.1 半导体中的电子特征 金属中的自由电子除去与离子实相互碰撞的瞬间外，无相互作用。电子所受到的势能函数为常数。 电子波函数仍然为自由电子波函数 电子受到晶格的散射，当电子的波矢落到布里渊区 边界时，发生Bragg衍射 f = Aeikx r (x) = |f |2 E k f = Aeikx f = Ae-ikx f + = Aeikx+ Ae-ikx r+ = 4A2cos2(kx) f + = Aeikx- Ae-ikx